[发明专利]一种沟槽肖特基半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个

沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽底部不与衬底层相连，沟槽内壁有绝缘层；多个

电荷补偿区，位于沟槽之间，其中沟槽之间的电荷补偿区由单个第一导电半导体材料和单个第二导电半导体材料排列构成，电荷补偿区的第一传导半导体材料临靠左侧沟槽，电荷补偿区的第二传导半导体材料临靠右侧沟槽，第二传导半导体材料不与衬底层相连；

肖特基势垒结，位于沟槽之间的半导体材料表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料形成电荷补偿。

3.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层上通过外延生长形成第一传导类型的半导体材料层；

2)在第一传导类型半导体材料表面形成钝化层，在待形成沟槽区域表面去除钝化层；

3)进行刻蚀第一传导类型半导体材料，形成沟槽，沟槽底部不与衬底层相连；

4)进行第二传导类型杂质单侧倾斜注入退火工艺；

5)在沟槽内壁形成绝缘层，在沟槽内填充介质材料；

6)去除半导体材料表面部分钝化层；

7)在半导体材料表面淀积金属，进行烧结形成肖特基势垒结。