[发明专利]发光元件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包括：

基板；

发光结构区域，形成在该基板上，且包含第一半导体层、发光层及第二半导体层；

静电放电保护结构区域，形成在该基板上，且包含第三半导体层、主动层及第四半导体层；

沟槽，其中该沟槽形成在该发光结构区域与该静电放电保护结构区域之间；

导电层，其中该导电层配置在该沟槽上，且连接该发光结构区域与该静电放电保护结构区域；

第一电极，其中该第一电极形成在该静电放电保护结构区域上，并覆盖至少部分该静电放电保护结构区域；以及

第二电极，其中该第二电极形成在该发光结构区域上，且该第二电极不延伸至该静电放电保护结构区域上。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中该第一半导体层及第三半导体层为第一掺杂态层，第二半导体层及第四半导体层为第二掺杂态层。

3.根据权利要求1所述的发光元件，还包括第一绝缘层，其中该第一绝缘层形成在该发光结构区域上。

4.根据权利要求1所述的发光元件，还包括第二绝缘层，其中该第二绝缘层形成在该导电层上。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其中该发光结构区域还包括第一透明导电层，配置在该第二半导体层上，且电性连接该第二半导体层与该导电层。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极覆盖该静电放电保护结构区域大于90%的面积。

7.根据权利要求1所述的发光元件，其中该发光结构区域至少包含出光面。

8.根据权利要求7所述的发光元件，其中该发光结构区域所涵盖的出光面面积至少是该静电放电保护结构区域面积的3倍以上。

9.一种发光元件，其特征在于，包括：

基板；

发光结构区域，形成在该基板上，且包含第一半导体层、发光层及第二半导体层；

静电放电保护结构区域，形成在该基板上，且包含第三半导体层、主动层及第四半导体层；

沟槽，其中该沟槽形成在该发光结构区域与该静电放电保护结构区域之间；

导电层，配置在该沟槽上，且连接该发光结构区域与该静电放电保护结构区域；以及

第一电极，形成在该静电放电保护结构区域上，且覆盖部分该导电层。

10.根据权利要求9所述的发光元件，还包括第一绝缘层，其中该第一绝缘层形成在该发光结构区域上。

11.根据权利要求9所述的发光元件，还包括第二绝缘层，其中该第二绝缘层形成在该导电层上。

12.根据权利要求9所述的发光元件，其中该第一电极覆盖该静电放电保护结构区域大于90%的面积。

13.根据权利要求9所述的发光元件，其中该发光结构区域至少包含出光面。

14.根据权利要求13所述的发光元件，其中该发光结构区域所涵盖的出光面面积至少是该静电放电保护结构区域面积的3倍以上。