[发明专利]一种提高图形线宽量测精度对准的方法有效
| 申请号： | 201210136005.8 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102683238A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王剑;戴韫青 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 图形 线宽量测 精度 对准 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高图形线宽量测精度对准的方法，其特征在于，
S1：在掩模板上设置具有数字或字母和接触孔的图形结构；
S2：对所述掩模板进行曝光晶圆，在交界处形成对准图形；
S3：建立自动量测程序，对所述对准图形进行精度对准；
S4：自动量测晶圆所需的结构图形。
2.根据权利要求1所述的提高图形线宽量测精度对准的方法，其特征在于，所述对准图形为在横竖接触孔中具有数字的图形。
3.根据权利要求1所述的提高图形线宽量测精度对准的方法，其特征在于，所述对准图形为在横竖接触孔中具有字母的图形。
4.根据权利要求2或3所述的提高图形线宽量测精度对准的方法，其特征在于，所述对准图通过交界形成四个部分。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的提高图形线宽量测精度对准的方法，其特征在于，用于0.25微米技术节点以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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