[发明专利]用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法有效
| 申请号： | 201210125531.4 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102779201A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 林以唐;李焯基;陈姝妤;张祐宁;陈小惠;张智胜;陈建文;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 平面设计 转换 finfet 设计 系统 方法 | ||
1.一种生成FinFET结构布局的方法，包括：
接收用于集成电路(IC)设计的平面结构布局，所述平面结构布局包括多个平面有源区域；
生成多个FinFET有源区域，所述多个FinFET有源区域与所述多个平面有源区域相对应；
对于每个FinFET有源区域，使用FinFET有源区域宽度与平面有源区域宽度的指定宽度比计算最优FinFET有源区域宽度；以及
根据所述最优FinFET有源区域宽度，在每个FinFET有源区域中生成芯轴。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，FinFET有源区域宽度与平面有源区域宽度的所述指定宽度比为1.9。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所述最优FinFET有源区域宽度在每个FinFET有源区域中生成芯轴包括：在每个FinFET有源区域中生成多个芯轴，使得所述FinFET有源区域宽度更接近所述最优FinFET有源区域宽度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，FinFET有源区域宽度与平面有源区域宽度的所述指定宽度比由于FinFET有源区域导电类型而不同。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
输出用于所述IC设计的FinFET结构布局。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：检查设计规则以避免任何空间上的违规。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
确定用于FinFET有源区域的贝塔数；
确定用于平面有源区域的贝塔数，所述平面有源区域与所述FinFET有源区域相对应；以及
调节所述FinFET有源区域中的芯轴，使得所述FinFET有源区域的贝塔数与所述平面有源区域的贝塔数的贝塔比在预定的最优贝塔比范围内。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述预定的最优贝塔比范围为大约0.85至大约1.15。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述预定的最优贝塔比范围为大约1.05。
10.一种生成FinFET结构布局的方法，包括：
接收用于IC设计的平面结构布局，所述平面结构布局包括多个平面有源区域；
生成多个FinFET有源区域，所述多个FinFET有源区域与多个平面结构有源区域相对应；
在所述多个FinFET有源区域的每一个中生成芯轴；
对于每个FinFET有源区域，计算FinFET有源区域宽度相对于用于对应平面有源区域的平面有源区域宽度的宽度比；以及
如果所计算的宽度比小于指定的宽度比，则优化每个FinFET有源区域中的芯轴。
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