[发明专利]配线基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及利用贯通件将在两面上形成的配线图案连接的配线基板、或者通过导电膏剂将层间连接的配线基板的制造方法。

背景技术

近年来，伴随电子部件的小型化、高密度化，作为搭载电子部件的配线基板，从以往的单面基板变为多采用两面基板、多层基板。进而作为配线基板的构造，代替以往广泛使用的通孔加工和镀敷来进行的层间的连接，提出了内过孔构造。内过孔构造是指使用导电膏剂将层间进行连接的方法，能够形成高密度配线。关于使用此种导电膏剂的配线基板的制造方法，结合图14A～图15C来进行说明。图14A～图14D是对使用了导电膏剂的配线基板的制造方法进行说明的剖面图。

图14A表示两面上设有保护膜2的预成型料1的剖面。图14B表示在图14A所示的预成型料1上设有孔3的状况。图14C表示将形成有孔3的预成型料1固定于台6，并通过将橡胶制的刮浆板(或者擦入橡胶板)的器具4向箭头7方向移动，从而将导电膏剂5填充于孔3的状态。图14D表示从预成型料1的两面剥离保护膜2，设置由导电膏剂5形成的突出部8的状况。

图15A～图15C是接着图14D的工序，是说明使用了导电膏剂的两面基板的制造方法的剖面图。

图15A表示在设有突出部8的预成型料1的两面配设铜箔9，并使用冲压装置(未图示)如箭头71所示进行加压并一体化的状况。需要说明的是，在该一体化时，进行加热也是有用的。需要说明的是，通过在导电膏剂5上预先设置突出部8，能够将导电膏剂5之中包含的导电粉彼此高密度地压缩并密接。

图15B是表示铜箔9隔着预成型料1、导电膏剂5而一体化后的状况的剖面图。在图15B中，将预成型料1加热固化而形成绝缘层10。贯通件11中，导电膏剂5之中包含的导电粉彼此被压缩、变形并密接。

图15C表示通过对图15B的铜箔9进行蚀刻而形成具有规定的图案的配线12的状态。然后，通过形成焊料抗蚀剂等(未图示)而制造两面基板。

需要说明的是，作为涉及本申请发明的现有技术文献，已知有日本特开平6-268345号公报、日本特开2002-171060号公报。

发明内容

本发明的配线基板的制造方法包括：第一贴附工序、第一孔工序、第一赋予工序、填充工序、回收工序、过滤工序、调整工序、第二贴附工序、第二孔工序、第二赋予工序和填充工序。

在第一贴附工序中，在第一预成型料的表面上贴附第一保护膜。在第一孔工序中，经由第一保护膜在第一预成型料上形成第一孔。在第一赋予工序中，向第一保护膜上赋予导电膏剂。在填充工序中，导电膏剂的一部分填充到第一孔中。在回收工序中，将未填充到第一孔中的导电膏剂收集多量，并作为回收膏剂回收。在过滤工序中，回收膏剂保持膏剂状态地被过滤，除去包括从预成型料脱落的纤维片的异物，形成过滤完成回收膏剂。在调整工序中，向过滤完成回收膏剂添加并混合溶剂或树脂或与过滤完成膏剂不同组成的膏剂的任一种以上，调整粘度或固态成分等，形成再利用膏剂。在第二贴附工序中，在第二预成型料的表面贴附第二保护膜。在第二孔工序中，经由第二保护膜，在第二预成型料上形成第二孔。在第二赋予工序中，向第二保护膜上赋予再利用膏剂。在填充工序中，再利用膏剂的一部分填充到第二孔中。

附图说明

图1A～图1C是说明将附着于第一保护膜上的纤维片回收于导电膏剂中的状况的剖面图。

图2A、图2B是说明在第一预成型料的孔中填充有导电膏剂的状况的剖面图。

图3A～图3C是说明配线基板的制造方法的一例的剖面图。

图4A、图4B是说明多个纤维片混入到导电膏剂中的情况的剖面图。

图5A～图5C是说明由导电膏剂构成的贯通件中具有未填充部或空隙的情况的剖面图。

图6是说明将以往废弃的膏剂再生并作为再利用膏剂而再生的状况的示意图。

图7是说明将回收合并膏剂过滤，制造过滤完成回收膏剂的状况的示意图。

图8是说明向过滤完成回收膏剂中添加溶剂等而制造成再利用膏剂的状况的示意图。

图9A、图9B是说明经由第二保护膜向形成于第二预成型料的第二孔中填充再利用膏剂的状况的剖面图。

图10A～图10C是说明使用再利用膏剂来制造第二配线基板的状况的剖面图。

图11A～图11C是配线层为4层的多层基板的制造方法的说明图。

图12A是表示回收膏剂的SEM观察像的图。

图12B是图12A的示意图。