[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请要求于2011年8月10日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0079716号韩国专利申请的权益，该申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

各实施方式涉及有机发光显示装置及其制造方法，更具体的，涉及用于减少配线区的寄生电容的有机发光显示装置，以及制造该有机发光显示装置的方法。

背景技术

诸如有机发光显示装置或液晶显示装置的平板显示装置包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及连接TFT和电容器的配线。

通过在衬底上形成TFT、电容器以及配线的微小图案来制造平板显示装置，其中主要通过利用使用掩模转移微小图案的光刻工序在衬底上形成微小图案。

发明内容

根据一方面，提供了一种有机发光显示装置，其包括：薄膜晶体管，设置在衬底上，并且包括有源层、栅电极、源电极和漏电极、插置于所述有源层与所述栅电极之间的第一绝缘层、以及插置于所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的第二绝缘层；像素电极，设置在所述第二绝缘层上；第一线，设置在所述第一绝缘层上，并且由与所述栅电极相同的材料形成；第二线，设置在所述第二绝缘层上以便与所述第一线至少部分重叠，所述第二线包括由与所述像素电极相同的材料形成的下部配线层，以及设置在所述下部配线层并且由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成的上部配线层；第三绝缘层，设置在所述第二绝缘层与所述像素电极之间和所述第二绝缘层与所述第二线之间；第四绝缘层，覆盖所述源电极和所述漏电极以及所述上部电极，并且暴露所述像素电极；中间层，设置在所述像素电极上，并且包括有机发光层；以及对电极，设置在所述中间层上。

所述第一绝缘层可以公共地设置在所述有源层之上和所述第一线之下。

所述像素电极和所述第三绝缘层可具有相同的蚀刻表面。

所述第二线和所述第三绝缘层可具有相同的蚀刻表面。

第三绝缘层可包括具有与所述第二绝缘层不同的蚀刻速率的材料。

所述第三绝缘层可包括SiN_x、SiO₂、ZrO₂、TiO₂、Ta₂O₅以及Al₂O₃中的至少一种。

所述源电极的材料、所述漏电极的材料以及所述上部配线层的材料可具有与所述像素电极和所述下部配线层不同的蚀刻速率。

所述像素电极可通过设置在所述像素电极上方的一个连接器与所述源电极和所述漏电极之一电连接。

所述有机发光显示装置还可包括电容器，所述电容器包括：下部电极和上部电极，所述下部电极设置在与所述栅电极相同的层上，所述上部电极包括由与所述像素电极相同的材料形成的下部传导层，以及设置在所述下部传导层上并且由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成的上部传导层，其中所述第三绝缘层也直接设置在所述下部电极与所述上部电极之间。

所述第一绝缘层可公共地设置在所述有源层之上和所述下部电极之下。

所述第二绝缘层可未设置在所述上部电极与所述下部电极之间。

所述上部电极和所述第三绝缘层可具有相同的蚀刻表面。

所述第三绝缘层的厚度可小于所述第二绝缘层的厚度。

所述第三绝缘层的介电常数可高于所述第一绝缘层的介电常数。

所述第一线可以是与所述栅电极电连接的扫描线，而所述第二线可以是与所述源电极和所述漏电极之一电连接的数据线。

所述第一线可以是与所述下部电极电连接的电源线，而所述第二线可以是与所述源电极和所述漏电极之一电连接的数据线。

所述第一线可以是与所述栅电极电连接的扫描线，而所述第二线可以是与所述上部电极电连接的电源线。

所述像素电极可以是光透射电极，而所述对电极可以是光反射电极。

所述像素电极和所述第二线的下部配线层可包括透明导电氧化物(TCO)，其中所述透明导电氧化物包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化镓铟(IGO)以及氧化锌铝(AZO)中的至少一种。

所述像素电极可以是光反射电极，而所述对电极可以是光透射电极。

所述像素电极和所述第二线的下部配线层可以包括半透射金属层和透明导电氧化物(TCO)，其中所述半透射金属层包括选自由银(Ag)、铝(Al)、及其合金所组成的组中的至少一种。