[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，包括：

薄膜晶体管，设置在衬底上，并且包括有源层、栅电极、源电极和漏电极、插置于所述有源层与所述栅电极之间的第一绝缘层、以及插置于所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的第二绝缘层；

像素电极，设置在所述第二绝缘层上；

第一线，设置在所述第一绝缘层上，并且由与所述栅电极相同的材料形成；

第二线，设置在所述第二绝缘层上以与所述第一线至少部分重叠，所述第二线包括由与所述像素电极相同的材料形成的下部配线层，以及设置在所述下部配线层上并且由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成的上部配线层；

第三绝缘层，设置在所述第二绝缘层与所述像素电极之间和所述第二绝缘层与所述第二线之间；

第四绝缘层，覆盖所述源电极和所述漏电极以及所述上部配线层，并且暴露所述像素电极；

中间层，设置在所述像素电极上，并且包括有机发光层；以及

对电极，设置在所述中间层上。

2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一绝缘层公共地设置在所述有源层之上和所述第一线之下。

3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述像素电极和所述第三绝缘层具有相同的蚀刻表面。

4.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二线和所述第三绝缘层具有相同的蚀刻表面。

5.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第三绝缘层包括SiN_x、SiO₂、ZrO₂、TiO₂、Ta₂O₅以及Al₂O₃中的至少一种。

6.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第三绝缘层包括具有与所述第二绝缘层不同的蚀刻速率的材料。

7.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述源电极的材料、所述漏电极的材料以及所述上部配线层的材料具有与所述像素电极以及所述下部配线层不同的蚀刻速率。

8.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述像素电极通过设置在所述像素电极上方的一个连接器与所述源电极和所述漏电极之一电连接。

9.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括电容器，所述电容器包括下部电极和上部电极，所述下部电极设置在与所述栅电极相同的层上，所述上部电极包括由与所述像素电极相同的材料形成的下部传导层，以及设置在所述下部传导层上并且由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成的上部传导层，

其中所述第三绝缘层也直接设置在所述下部电极与所述上部电极之间。

10.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述第一绝缘层公共地设置在所述有源层之上和所述下部电极之下。

11.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述第二绝缘层未设置在所述上部电极与所述下部电极之间。

12.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述上部电极和所述第三绝缘层具有相同的蚀刻表面。

13.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述第三绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。

14.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述第三绝缘层的介电常数高于所述第一绝缘层的介电常数。

15.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一线是与所述栅电极电连接的扫描线，而所述第二线是与所述源电极和所述漏电极之一电连接的数据线。

16.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述第一线是与所述下部电极电连接的电源线，而所述第二线是与所述源电极和所述漏电极之一电连接的数据线。

17.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述第一线是与所述栅电极电连接的扫描线，而所述第二线是与所述上部电极电连接的电源线。

18.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述像素电极是光透射电极，而所述对电极是光反射电极。