[发明专利]晶片结构和制造晶片结构的方法

说明书

技术领域

本发明的各个实施例大体涉及晶片(die)结构和制造晶片结构的方法。

背景技术

今天，集成电路装置的装配通常包括集成电路或晶片的封装。在晶片封装(例如层压封装或嵌入晶片(wafer)级球栅阵列(eWLB)的制造中，可能需要在封装的重新分布层(RDL)中安置感应器，例如，线圈。

发明内容

在不同实施例中，提供了一种晶片结构，所述晶片结构包括晶片，一个或多个接合盘(bond pad)以及感应器。在不同实施例中，可将感应器布置成包围所述接合盘中的至少一个，以及将所述接合盘和晶片电连接的一条或多条重新分布轨(redistribution trace)。在不同实施例中，感应器或感应器的电轨可被布置在所述接合盘中的至少两个之间。在不同实施例中，所述感应器可被设置成线圈，所述线圈具有包围所述一个或多个接合盘的至少一个线圈绕组。

下文的具体实施方式参照附图进行描述，附图通过描绘示出了实践本发明的具体细节和实施例。这些实施例被充分详细地描述以使得本领域的技术人员可实践本发明。可使用其它实施例并且可进行结构、逻辑和电气改动，而不脱离本发明的保护范围。由于一些实施例可与一个或多个其它实施例组合形成新的实施例，因此各个实施例不一定是相互排斥的。下文的具体实施方式因此不应当认为是限制性的，并且本发明的保护范围由所附的权利要求限定。

提供了关于装置的不同实施例，并且提供了关于方法的不同实施例。应当理解装置的基本特性也对应于方法，并且反之亦然。因此，简单起见，将省略对这些特性的重复性描述。

当在本文中使用术语“至少一个”时，应当理解成包括大于或等于一个的任意整数个。

当在本文中使用术语“多个”时，应当理解成包括大于或等于两个的任意整数个。

当在本文中使用术语“耦接”或“连接”时，应当理解成分别包括直接“耦接”或直接“连接”以及间接“耦接”或间接“连接”。

当在本文中使用术语“布置在…上”或“位于…上”时，意图包括其中第一元件或层直接布置，位于或设置在第二元件或层，在其之间没有其它元件或层的结构，以及其中第一元件或层布置，位于或设置在第二元件或层上方，在所述第一元件或层和第二元件或层之间具有一个或多个其它元件或层的结构。

当在本文中使用表述“感应器包围…”时，应当被理解成指示元件或结构位于感应器内。例如，根据其中感应器被设置成具有一个或多个绕组的线圈的一些实施例，术语“包围”应当被理解成指示元件或结构位于线圈的一个或多个线圈绕组内。

当在本文中使用术语“接合盘”时，应当被理解成包括，例如，通过晶片或芯片的接合工艺(例如，电线接合工艺，倒装芯片工艺或球连接工艺)接触的盘。假如应用球连接工艺，也可使用术语“球盘”。

当在本文中使用术语“重新分布轨”时，应当被理解成包括，例如，布置在晶片或晶片的有效表面上的导线或轨并且被用于重新安置晶片或晶片的接合盘。换言之，通过可被用作晶片或晶片上的新位置处的(重新定位的)接合盘和原位置处的电接触(电触点或盘)之间的电连接，可将在晶片或晶片上的接合盘的原位置转换至新位置。

当在本文中使用术语“重新分布层(RDL)”时，应当被理解成指的是包括用于重新定位(“重新分布”)晶片或晶片的多个接合盘的，多条或一组重新分布轨的层。

当在本文中使用术语“重构结构”时，应当被理解成包括，例如，在晶片周围形成的结构，用作安置例如附加接合盘(例如，除了位于晶片上的接合盘外的)的人造晶片部分。位于重构结构上的接合盘，例如，可通过重新分布层的重新分布轨电连接至晶片(例如，连接至晶片的电接触或盘)。因此，可在重构结构上实现用于晶片的附加互相连接(这被称为“扇出(fan out)设计”)。

术语“嵌入晶片级球栅阵列(eWLB)”可被理解成指代用于集成电路的封装技术。在eWLB封装中，可在晶片或芯片(例如，硅晶片或芯片)制成的人造晶片和模制复合物上应用相互连接点。eWLB可被视为经典晶片级球栅阵列技术(WLB或WLP：晶片级封装)的进一步发展。例如，可在晶片上进行用于封装产生的所有工艺步骤。与经典封装技术(例如，球栅阵列)相比，例如，这可以低成本实现具有改进的电和热性能的非常小和平整的封装的产生。

在构建在晶片(例如，硅晶片)上的WLB技术中，相互连接点(通常是焊锡球)通常安装在芯片上(这被称为扇入(fan in)设计)。因此，通常仅可封装具有有限数目的相互连接点的芯片。