[发明专利]具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

设置在基板的第一区域中的第一掺杂区域；

设置在第一掺杂区域上且接触第一掺杂区域的第一金属电极，该第一金属电极包括金属层的第一部分；

设置在基板的第二区域中的第二掺杂区域；

设置在第二掺杂区域上的电介质层；以及

设置在电介质层上的第二金属电极，该第二金属电极包括金属层的第二部分，该第二金属电极电容耦合到第二掺杂区域。

2.根据权利要求1所述的器件，其中第一金属电极被第一侧墙环绕，且其中第二金属电极被第二侧墙环绕。

3.根据权利要求1所述的器件，其中第二金属电极是晶体管的栅电极。

4.根据权利要求3所述的器件，其中第一区域和第二区域是晶体管的部分，第二掺杂区域是晶体管的沟道区域，第一掺杂区域是晶体管的源极/漏极区域。

5.根据权利要求1所述的器件，其中第一掺杂区域和第二掺杂区域包括相反的掺杂类型。

6.根据权利要求1所述的器件，其中金属层包括选自由氮化铝、氮化铪、氮化钽、氮化钛、氮化锆、钨、氮化钨、氮化钼、碳化钽、碳化铪、碳化锆、氮碳化钽及其组合组成的组中的材料。

7.根据权利要求1所述的器件，还包括设置在金属层的第一和第二部分上的另外的金属层，其中该其它金属层包括选自由铝、钨、铜、钛、镍、铂、钯、氮化钛、硅化钴、硅化镍及其组合组成的组中的材料。

8.根据权利要求1所述的器件，还包括：

设置在第一金属电极的侧壁上的侧墙；以及

设置在第一区域中的硅化物区域，该侧墙将第一金属电极与该硅化物区域分离。

9.根据权利要求8所述的器件，其中该硅化物区域形成为环形区域且至少部分地环绕第一掺杂区域。

10.一种半导体器件，包括：

设置在基板的第一区域中的第一掺杂区域；以及

设置在第一掺杂区域上且与第一掺杂区域接触的金属电极，其中该金属电极包括金属层且其中该金属电极被侧墙环绕。

11.根据权利要求10所述的器件，还包括：

设置在第一区域中的硅化物区域，其中侧墙将金属电极与硅化物区域分离。

12.根据权利要求11所述的器件，其中该硅化物区域形成为环形区域且至少部分地环绕第一掺杂区域。

13.根据权利要求11所述的器件，还包括：

设置在硅化物区域下方的第二掺杂区域，该第二掺杂区域接触该硅化物区域；并且

设置在第一和第二掺杂区域之间在侧墙下方的第三掺杂区域，第三掺杂区域具有小于第二掺杂区域的掺杂。

14.根据权利要求11所述的器件，还包括：

设置在硅化物区域上的多个接触。

15.一种晶体管，包括：

设置在基板中的第一掺杂类型的沟道区域；

设置在沟道区域上的栅极电介质层；

设置在栅极电介质层上的栅电极；

设置在基板中和/或基板上且耦合到沟道区域的第二掺杂类型的第一源极/漏极区域，该第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，以及

设置在第一源极/漏极区域上的第一接触电极，其中第一接触电极包括金属层的第一部分，且栅电极包括金属层的第二部分，且其中金属层的第二部分接触第一源极/漏极区域。

16.根据权利要求15所述的晶体管，其中金属层的第一部分接触栅极电介质层。

17.根据权利要求15所述的晶体管，还包括：

设置在栅电极的侧壁上的第一侧墙；以及

设置在第一接触电极的侧壁上的第二侧墙。

18.根据权利要求15所述的晶体管，还包括：

设置在基板中的第一源极/漏极扩展区域，其中第一源极/漏极扩展区域设置在第一源极/漏极区域和沟道区域之间。

19.根据权利要求15所述的晶体管，其中栅电极的宽度大于第一接触电极的宽度，宽度是沿着与从第一源极/漏极区域到沟道区域的方向垂直的方向测量的。