[发明专利]四边扁平无引脚封装件及其生产方法

说明书

技术领域

本发明属于电子信息自动化元器件制造技术领域，涉及一种四边扁平无引脚封装件；本发明还涉及一种该封装件的生产方法。 

背景技术

近年来，随着移动通信和移动计算机领域便捷式电子元器件的迅猛发展，小型封装和高密度组装技术得到了长足的发展；同时，也对小型封装技术提出了一系列严格要求，诸如，要求封装外形尺寸尽量缩小（尤其是封装高度小于1mm）。封装后的连接可靠性尽可能提高，适应无铅化焊接（保护环境）和有效降低成本。

长期以来，受蚀刻模板及蚀刻工艺技术的限制，QFN产品一直延续着单圈引线框架模式。

QFN（Quad Flat No Lead Package）型多圈排列封装的集成电路封装技术是近几年国外发展起来的一种新型微小形高密度I/O封装技术，是最先进的表面贴装封装技术之一。具有无引脚、贴装占有面积小，安装高度低等特点，是为满足移动通信和移动计算机领域的便捷式电子机器，如PDA、3G手机、MP3、MP4、MP5等超薄型电子产品发展的需要应运而生并迅速成长起来的一种新型封装技术。但目前的四边扁平无引脚封装件的引脚少，即I/O少，焊线长、焊线成本高、频率应用受限制，满足不了高密度、多I/O封装的需要。

发明内容

为了克服上述现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种四边扁平无引脚封装件，引脚多、焊线短，能满足高密度、多I/O封装的需要。

本发明的另一目的是提供一种上述封装件的生产方法。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种四边扁平无引脚封装件，包括引线框架载体，引线框架载体由载体凹坑和环绕载体凹坑设置的三圈引脚组成，该三圈引脚分别由多个互不相连的引脚组成，载体凹坑内粘贴有IC芯片，所有引脚上均镀有内引脚化学镀镍钯金层；内引脚化学镀镍钯金层与 IC芯片同向设置，IC芯片与内引脚化学镀镍钯金层之间通过键合线相连接；IC芯片、所有引脚镀有内引脚化学镀镍钯金层的一端和所有键合线均封装于塑封体内。

本发明所采用的另一技术方案是：一种上述四边扁平无引脚封装件的生产方法，具体按以下步骤进行：

步骤1：晶圆减薄划片和制作引线框架

采用普通QFN减薄方法进行晶圆减薄，得到最终厚度为150μm～200μm的晶圆；粗磨范围从原始晶圆片+胶膜厚度到最终厚度+胶膜厚度+50μm，粗磨速度3μm/s～6μm/s；精磨厚度范围从最终厚度+胶膜厚度+50μm到晶圆最终厚度+胶膜厚度，精磨速度为10μm/min～20μm/min，采用防止碎片工艺；对减薄后的晶圆进行划片，得到IC芯片，应用防碎片、防裂纹划片工艺软件控制技术，划片进刀速度≤10mm/s；

制作引线框架：

第一步，取厚度为6mil～8mil的铜板，预处理该铜板表面并粗化，得到引线框架基体；

第二步，以丝网漏印的方式将感光油墨均匀地涂覆于引线框架基体的一个表面，在75℃～80℃的温度下烘烤10分钟，使感光油墨硬化；用UV紫外线照射底片，在引线框架基体表面形成图形；用浓度为0.8g/L～1.2g/L 的Na₂CO₃腐蚀液处理经UV紫外线照射的感光油墨，在引线框架基体表面形成厚度为10μm～15μm的不连续的第一感光胶层；

第三步，在未被第一感光胶层覆盖的引线框架基体表面区域化学镀镍钯金，在该区域形成厚度为0.5μm～5μm的内引脚化学镀镍钯金层； 

第四步，用浓度3%～5%的氢氧化钠腐蚀液去掉引线框架基体表面上的第一感光胶层，引线框架基体表面留下内引脚化学镀镍钯金层，水洗；

第五步，在引线框架基体有内引脚化学镀镍钯金层的表面涂覆感光油墨，涂覆方法和后续的处理方法同上述第二步，在内引脚化学镀镍钯金层表面形成厚度为10μm～20μm的第二感光胶层；

第六步，用三氯化铁蚀刻液对引线框架基体有第二感光胶层的表面进行半腐蚀，该表面没有覆盖第二感光胶层的区域被三氯化铁蚀刻液腐蚀，腐蚀深度为0.06mm±5μm，在该表面形成载体凹坑、多个第一内引脚、多个第二内引脚和多个第三内引脚，多个第一内引脚形成第一圈内引脚，多个第二内引脚形成第二圈内引脚，多个第三内引脚形成第三圈内引脚； 

第七步，用氢氧化钠腐蚀液去掉第二感光胶层，水洗，得到引线框架；

步骤2：上芯

将IC芯片粘贴于载体凹坑底面；上芯完成后送固化，采用ESPEC烘烤箱，防离层工艺烘烤，烘烤温度175℃±5℃，烘烤3h+0.5h；