[发明专利]基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法

权利要求书

1.一种基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，包括：

提供一体硅衬底，所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层；

对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀，形成鳍形有源区，剩余的SiGe层和Si层作为源漏区；

通过选择性刻蚀去除所述鳍形有源区中的SiGe层，形成硅纳米线，所述硅纳米线纵向堆叠；

在所述硅纳米线、体硅衬底以及源漏区上形成栅极氧化层；

在所述源漏区之间的体硅衬底上形成栅极；

在所述源漏区和所述栅极之间形成隔离介质层。

2.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，距离所述体硅衬底最近的一层为SiGe层，距离体硅衬底最远的一层也为SiGe层。

3.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀之前，对所述源漏区之间的区域进行离子注入。

4.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀之前，对所述源漏区进行离子注入。

5.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，在所述源漏区之间的体硅衬底上形成栅极之后，对所述源漏区进行离子注入。

6.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述选择性刻蚀采用次常压化学气相刻蚀法。

7.如权利要求6所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述次常压化学气相刻蚀法采用氢气和氯化氢混合气体，其中氢气和氯化氢混合气体的温度在600℃～800℃之间，其中氯化氢的分压大于300Torr。

8.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述硅纳米线直径在1纳米～1微米之间。

9.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述硅纳米线的截面形状为圆形、横向跑道形或纵向跑道形。

10.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，在所述硅纳米线、体硅衬底以及源漏区上形成栅极氧化层之前，还包括：

对所述硅纳米线进行热氧化；

蚀刻掉所述热氧化形成的二氧化硅。

11.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述栅极氧化层的材料为二氧化硅、氮氧化硅或高K介质层。

12.如权利要求11所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述高K介质层是HfO2、Al2O3、ZrO2中的一种或其任意组合。

13.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述栅极的材料为多晶硅、无定形硅、金属中的一种或其任意组合。

14.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述隔离介质层的材料为二氧化硅。