[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201210076842.6 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102738069A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 中尾贤;原田宗生;饭田到;山口永司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
准备多个半导体基板，该半导体基板形成有用于贯通主表面间的贯通孔，并且在该贯通孔内填充有多孔质导体；
以使被填充在上述贯通孔内的多孔质导体的位置对准的方式将上述多个半导体基板层叠起来；
将含有颗粒状导体的导体墨导入到层叠起来的上述多个半导体基板的上述多孔质导体中；
对层叠起来的上述多个半导体基板进行烧制。
2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
在半导体基板上形成多个芯片区域，该芯片区域具有贯通孔，该贯通孔用于贯通该半导体基板的主表面间；
在上述贯通孔中填充多孔质导体；
以上述芯片区域为单位从上述半导体基板切出多个芯片；
将切出的上述多个芯片以使上述多孔质导体的位置对准的方式层叠起来；
将含有颗粒状导体的导体墨导入到层叠起来的上述多个芯片的上述多孔质导体中；
对层叠起来的上述多个芯片进行烧制。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
上述多孔质导体是将颗粒状的银的溶液导入到上述贯通孔中之后进行预烧制而形成的；
上述颗粒状的银的溶液是含有颗粒状的银的溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210076842.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：主轴电机
- 下一篇：感光单元和图像形成设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
