[发明专利]高集成高光效的热电分离功率型发光二极体及封装方法

权利要求书

1.一种高集成高光效的热电分离功率型发光二极体，其特征在于：所述发光二极体(3)包括贴片式支架(31)、发光二极体晶片(32)和金线(33)，支架(31)上表面形成凹杯(31a)，支架(31)的左右两侧设有独立导通至凹杯(31a)两侧中的导电通道(31b、31c)、底面设有中部通至凹杯(31a)中部的导热通道(31d)，发光二极体晶片(32)通过导热绝缘胶(31e)与导热通道(31d)相贴合、其两极分别通过金线(33)与导电通道(31b、31c)电连接，凹杯(31a)中灌封由硅胶与荧光粉混合体构成的荧光胶体(31f)。

2.根据权利要求1所述一种高集成高光效的热电分离功率型发光二极体，其特征在于：所述发光二极体晶片(32)包括并联每组由至少二个相串联的小功率晶片串高集成封装方式构成。

3.根据权利要求1所述一种高集成高光效的热电分离功率型发光二极体，其特征在于：每组相串联的小功率晶片的为二～六个，由二至六组小功率晶片串相并联构成。

4.根据权利要求1所述一种高集成高光效的热电分离功率型发光二极体，其特征在于：所述凹杯(31a)呈倒锥形，其锥角为55～65度。

5.根据权利要求1所述一种高集成高光效的热电分离功率型发光二极体，其特征在于：所述导电通道(31b、31c)相互对称设置。

6.根据权利要求1所述的一种高集成高光效的热电分离功率型发光二极体，其特征在于：所述支架(31)为方形贴片。

7.根据权利要求1所述的一种高集成高光效的热电分离功率型发光二极体，其特征在于：所述导电通道(31b、31c)和导热通道(31d)均为C194磷青铜材质的正极或负极电通道。

8.一种高集成高光效的热电分离功率型发光二极体的封装方法，包括如下步骤：

(1)将权利要求8或9所述串并排列方式的发光二极体晶片(32)通过高导热、低热阻的导热绝缘胶(31e)用高精度的自动固晶机固定在如权利要求7所述的具有独立的热、电通道结构的二极体支架的热通道上，然后用工业烤箱高温烘烤固化；

(2)再用高纯度的键合金线(33)，通过高精度的超声波焊线机，将发光二极体晶片(32)与支架的导电通道(31b、31c)进行键合焊接。

(3)根据发光二极体光的参数要求，采用蓝光激发荧光粉混合白光的方式将高折射率的硅胶与荧光粉进行混合配胶的荧光胶体(31f)灌封到支架杯壳内，然后用工业烤箱高温烘烤固化制成胶体；经过如上工艺，即制成高集成高光效的热电分离功率型发光二极体。

9.根据权利要求8所述的一种高集成高光效的热电分离功率型发光二极体的封装方法，其特征在于：所述键合金线(33)为99.99％高纯度金线。

10.根据权利要求8所述的一种高集成高光效的热电分离功率型发光二极体的封装方法，其特征在于：所述荧光胶体(31f)为90～96％的1.53高折射率硅胶与10％～4％的荧光粉混合构成。