[发明专利]具有背镀反射层的发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.具有背镀反射层的发光二极管，包括：

一透明衬底； 

一半导体叠层，形成于该透明衬底的一第一表面，该半导体叠层包含一第一导电性半导体层、一第二导电性半导体层以及一发光层介于前述两者之间；

一背镀反射层形成于相对于所述第一表面的所述透明衬底的一第二表面，自该第二表面起，该背镀银反射层依次包含一黏附层和一金属反射层，并且所述黏附层材质为氮化镓基材料，以及所述金属反射层的首层材料为银。

2.根据权利要求1所述的具有背镀银反射层的发光二极管，其透明衬底为蓝宝石。

3.根据权利要求1所述的具有背镀银反射层的发光二极管，其半导体叠层为氮化镓基材料。

4.根据权利要求1所述的具有背镀银反射层的发光二极管，其黏附层材料为氮化镓。

5.根据权利要求1所述的具有背镀银反射层的发光二极管，其黏附层厚度小于500埃。

6.具有背镀反射层的发光二极管的制作方法，包括步骤

提供一透明衬底；

在该透明衬底的第一表面外延生长半导体叠层，该半导体叠层包含一第一导电性半导体层、一第二导电性半导体层以及一发光层介于前述两者之间；

从相对于第一表面的该透明衬底的第二表面减薄并研磨该透明衬底；

在研磨后的透明衬底的第二表面外延生长一氮化镓基材料层作为黏附层；

在氮化镓基材料层上镀一金属反射层，其中首层材料为银；

退火以使得银与氮化镓基材料层形成紧密粘合。

7.根据权利要求6所述的具有背镀银反射层的发光二极管的制作方法，其透明衬底为蓝宝石。

8.根据权利要求6所述的具有背镀银反射层的发光二极管的制作方法，其半导体叠层为氮化镓基材料。

9.根据权利要求6所述的具有背镀银反射层的发光二极管的制作方法，其退火的氛围包含氮气和氧气。

10.根据权利要求6所述的具有背镀银反射层的发光二极管的制作方法，其退火的温度介于300℃~800℃之间。