[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，包含下述的工序：

(a)将多个芯片向芯片处理装置的芯片拾取部供给的工序；

(b)在将上述芯片拾取部的上述多个芯片内的第一芯片的表面真空吸附到吸附吸嘴的橡胶片的下表面的状态下，将上述第一芯片向上述芯片处理装置的芯片键合部移送的工序；

(c)在上述工序(b)后，在主要是通过与上述橡胶片的上述下表面之间的物理吸附来保持上述第一芯片的上述表面的状态下，使上述第一芯片的背面侧落到在上述芯片处理装置的上述芯片键合部上所放置的布线基板的上表面的工序；

(d)在上述工序(c)后，通过由上述橡胶片的上述下表面对上述第一芯片的上述表面向下方加压，将上述第一芯片经由上述第一芯片的上述背面和上述布线基板的上述上表面之间的粘接部件层而固定在上述布线基板的上述上表面的工序。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，从上述工序(c)到工序(d)，真空吸附为断开。

3.如权利要求2所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，上述橡胶片在中央部具有真空吸引孔。

4.如权利要求3所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，上述工序(b)还包含下述的下位工序：

(b1)使上述第一芯片朝向上述布线基板的上述上表面，以第一速度下降的工序；

(b2)接着上述工序(b1)，使上述第一芯片以比上述第一速度慢的第二速度，朝向上述布线基板的上述上表面下降的工序，

再有，上述工序(c)包含下述的下位工序：

(c1)使上述第一芯片以上述第二速度朝向上述布线基板的上述上表面下降直至落地的工序。

5.如权利要求2所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，上述橡胶片以弹性体为主要的构成要素，其硬度为10以上，不足70。

6.如权利要求2所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，上述橡胶片以弹性体为主要的构成要素，其硬度为15以上，不足55。

7.如权利要求5所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，上述弹性体是氟类橡胶。

8.如权利要求5所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，上述弹性体是硅类弹性体。

9.如权利要求2所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，上述粘接部件层是DAF部件层。

10.如权利要求2所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，还具有下述的工序：

(e)在上述工序(b)前，从其背面被固定在粘接带上的上述多个芯片的上述粘接带侧照射UV光的工序。

11.一种半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，包含下述的工序：

(a)以大致原有的晶片时的二维配置，将被分割成各个芯片区域的多个芯片在将其背面固定在粘接带的状态下，向芯片处理装置供给的工序；

(b)在将上述多个芯片内的第一芯片的表面真空吸附到吸附吸嘴的橡胶片的下表面，并且，将上述第一芯片的上述背面的上述粘接带真空吸附到下部基体的上表面的状态下，使上述粘接带从上述第一芯片的上述背面剥离的工序，

在此，上述橡胶片以弹性体为主要的构成要素，其硬度为15以上，不足55。

12.如权利要求11所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，上述硬度为20以上，不足40。

13.如权利要求11所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，上述弹性体是氟类橡胶。

14.如权利要求11所述的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，上述弹性体是硅类弹性体。