[发明专利]半导体装置的布线的形成方法无效
| 申请号： | 201210060302.9 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102683269A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 田岛尚之;东条启 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 庞乃媛;黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 布线 形成 方法 | ||
1.一种半导体装置的布线的形成方法，其特征在于，
包括以下工序：
在基板的主面上，以在形成布线图案的位置上设置开口部的方式形成绝缘树脂；
在上述开口部的露出上述基板的区域即底面和包围上述底面的区域即侧面和与上述基板的主面相对置的上述绝缘树脂的面一侧上，使用金属形成第1布线层；以及
通过切削工具进行切削，以露出上述绝缘树脂和上述第1布线层，
上述第1布线层被形成为：在上述底面上形成的厚度比在上述侧面上形成的厚度厚。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的布线的形成方法，其特征在于，
还包括以下工序：在上述第1布线层上进一步使用与上述第1布线层不同的金属来形成第2布线层，
上述第1布线层的硬度比上述第2布线层的硬度硬。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的布线的形成方法，其特征在于，
在通过上述切削工具进行切削时，切削比上述侧面的高度低的高度位置的上述绝缘树脂。
4.根据权利要求2所述的半导体装置的布线的形成方法，其特征在于，
在通过上述切削工具进行切削时，切削为上述绝缘树脂、上述第1布线层及上述第2布线层的高度成为相同高度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的布线的形成方法，其特征在于，
上述第1布线层形成为，在上述侧面上形成的厚度为约20nm～约50nm，并且在上述底面上形成的厚度为约200nm～约300nm。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的布线的形成方法，其特征在于，
上述第1布线层由难切削性材料形成。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的布线的形成方法，其特征在于，
上述难切削性材料由Ti形成。
8.根据权利要求2所述的半导体装置的布线的形成方法，其特征在于，
上述第1布线层由Ti形成，上述第2布线层为Cu或Al。
9.一种半导体装置的布线的形成方法，其特征在于，包括以下工序：
在基板的主面上，以在形成布线图案的位置设置开口部的方式形成绝缘树脂；
被形成在上述开口部的露出上述基板的区域即底面和包围上述底面的区域即侧面和与上述基板的主面相对置的上述绝缘树脂的面一侧上，以在上述底面上形成的厚度比在上述侧面上形成的厚度厚的方式，使用金属来形成第1布线层；以及
通过切削工具进行切削，以露出上述绝缘树脂和上述第1布线层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
