[发明专利]肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210059574.7 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103311316A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 尚海平;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种肖特基二极管，包括衬底、衬底上的金属硅化物，其特征在于，衬底与金属硅化物之间的界面处还包括掺杂离子分凝区。
2.如权利要求1的肖特基二极管，其中，金属硅化物包括NiSi2-y、PtSi2-y、CoSi2-y、Ni1-xPtxSi2-y、Ni1-xCoxSi2-y、Pt1-xCoxSi2-y、Ni2-x-zPtxCozSi3-y，其中x、z大于0小于1，y大于等于0小于等于1。
3.如权利要求1的肖特基二极管，其中，掺杂离子分凝区中包含的掺杂离子，对于n型肖特基二极管而言包括P、As、Sb及其组合，对于p型肖特基二极管而言包括B、BF2及其组合。
4.一种肖特基二极管的制造方法，包括步骤：
在衬底上形成金属硅化物；
向金属硅化物注入掺杂离子；
分凝退火，使得掺杂离子分凝在金属硅化物与衬底之间的界面处。
5.如权利要求4的肖特基二极管的制造方法，其中，形成金属硅化物的步骤具体包括：
在衬底上形成金属层；
执行第一退火，使得衬底与金属层反应形成富金属相的高阻态金属硅化物；
去除未反应的金属层；
执行第二退火，第二退火的温度大于第一退火的温度，使得富金属相的高阻态金属硅化物形成单一的低阻态金属硅化物。
6.如权利要求5的肖特基二极管的制造方法，其中，第一退火的退火温度为200～400℃，第二退火的退火温度为450～600℃。
7.如权利要求5的肖特基二极管的制造方法，其中，金属层包括Ni、Co、Pt及其组合，形成的金属硅化物包括NiSi2-y、PtSi2-y、CoSi2-y、Ni1-xPtxSi2-y、Ni1-xCoxSi2-y、Pt1-xCoxSi2-y、Ni2-x-zPtxCozSi3-y，其中x、z大于0小于1，y大于等于0小于等于1。
8.如权利要求5的肖特基二极管的制造方法，其中，采用硫酸与双氧水混合液湿法腐蚀去除未反应的金属层。
9.如权利要求4的肖特基二极管的制造方法，其中，注入的掺杂离子，对于n型肖特基二极管而言包括P、As、Sb及其组合，对于p型肖特基二极管而言包括B、BF2及其组合。
10.如权利要求4的肖特基二极管的制造方法，其中，注入计量为1E14atom/cm2～1E16 atom/cm2。
11.如权利要求4的肖特基二极管的制造方法，其中，注入能量使得掺杂离子注入峰值位于金属硅化物内。
12.如权利要求10的肖特基二极管的制造方法，其中，掺杂离子注入峰值位于金属硅化物与衬底之间界面上方30～200范围内。
13.如权利要求4的肖特基二极管的制造方法，其中，分凝退火的退火温度为450℃～700℃。
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