[发明专利]深沟渠元件的制作方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种半导体的制作方法，尤其是关于一种深沟渠元件的制作方法。

背景技术

在集成电路中，深沟渠结构大量被应用在各式的半导体元件内，例如絶缘结构、控制电极或电容结构，为了缩小半导体元件的体积，业界都努力在增加深沟渠的高宽比。

根据现有的工艺，形成深沟渠的步骤包含先形成一硬掩膜层位在基底上，然后进行光刻和蚀刻工艺，将深沟渠的图案转印到硬掩膜层上，以图案化前述硬掩膜层，然后利用图案化后的硬掩膜层为掩膜，蚀刻基底以在基底中形成一深沟渠。

然而，现有制作深沟渠的方式依然有必须克服的缺陷，举例而言，前述的硬掩膜层的蚀刻选择比和基底的选择比差异不够大，导致深沟渠的轮廓无法符合要求，因此，目前需要开发一种新的深沟渠制作方法，来制作具有优选轮廓和优选高宽比的深沟渠。

发明内容

因此，本发明提供一种简单经济的方法，来形成深沟渠，以克服上述问题。

根据本发明的一优选实施例，一种深沟渠元件的制作方法，包含：首先，提供一基底包含一沟渠，然后形成一第一材料层填满沟渠，接着形成一第二材料层覆盖基底和第一材料层，之后再形成一孔洞于第二材料层，其中孔洞正对沟渠，最后形成一第三材料层填入孔洞。

根据本发明的另一优选实施例，一种深沟渠电容的制作方法，包含：首先提供一基底包含一沟渠，然后形成一下电极于基底中并且围绕沟渠的底部，再形成一电容介电层环绕沟渠的一内侧侧壁，接着形成一第一导电层填入沟渠，然后形成一材料层于基底上，再形成一孔洞于材料层中，其中孔洞位在所述沟渠的正上方，最后形成一第二导电层填入孔洞。

为使本发明所属技术领域的技术人员能更进一步了解本发明，下文特别举出本发明的几个优选实施例，并配合附图，详细说明本发明的内容及所欲实现的效果。

附图说明

图1至图6为根据本发明第一优选实施例所示的一种深沟渠电容的制作方法的示意图。

图7至图10为根据本发明的第二优选实施例所示的一种深沟渠电容的制作方法的示意图。

其中，附图标记说明如下：

10    基底                12    第一掩膜层

14    硼硅玻璃层          16    抗反射层

18    光致抗蚀剂层        20    沟渠图案

22    沟渠                24    下电极

26    电容介电层          28    第一导电层

30    材料层              32    第二掩膜层

34    垫氧化硅层          36    垫氮化硅层

38    硼硅玻璃层          40    抗反射层

42    光致抗蚀剂层        44    孔洞图案

46    孔洞                48    颈氧化层

50    第二导电层          52    第三导电层

54    深沟渠电容          68    材料层

70    材料层              74    深沟渠电容

具体实施方式

虽然本发明的具体实施例描述如下，但是非用来限定本发明，任何本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，都可作相当的变动，因此本发明的权利范围是以权利要求书为准，且为了不使本发明的精神难懂，一些公知结构与工艺步骤的细节将不在本说明书中描述。

同样地，附图所表示为实施例中的装置示意图但并非用以限定装置的尺寸，特别是为使本发明可更清晰地呈现，部分元件的尺寸可能放大呈现于图中。并且，多个实施例中所揭示相同的元件将以标示相同或相似的符号，以使说明更容易且清晰。