[发明专利]深沟渠元件的制作方法

权利要求书

1.一种深沟渠元件的制作方法，其特征在于，包含：

提供一基底，其包含一沟渠；

形成一第一材料层填入所述沟渠；

形成一第二材料层覆盖所述基底和所述第一材料层；

形成一孔洞于所述第二材料层中，所述孔洞正对所述沟渠；以及

形成一第三材料层填入所述孔洞。

2.根据权利要求1所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于所述第二材料层包含外延硅。

3.根据权利要求2所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于，在形成所述第二材料层后，形成一氧化硅层和一氮化硅层于所述第二材料层上。

4.根据权利要求3所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于所述孔洞延伸至所述氧化硅层和所述氮化硅层中。

5.根据权利要求4所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于所述第三材料层填入位在所述氧化硅层和所述氮化硅层中的所述孔洞中。

6.根据权利要求1所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于，在形成所述第三材料层前，形成一颈氧化层围绕位在所述第二材料层中的所述孔洞的一侧壁。

7.根据权利要求1所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于所述第一材料层包含多晶硅并且所述第三材料层包含多晶硅。

8.根据权利要求1所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于所述基底包含一半导体基底。

9.一种深沟渠电容的制作方法，其特征在于，包含：

提供一基底，其包含一沟渠；

形成一下电极于所述基底中并且所述下电极围绕所述沟渠的底部；

形成一电容介电层环绕所述沟渠的一内侧侧壁；

形成一第一导电层填入所述沟渠；

形成一材料层于所述基底上；

形成一孔洞于所述材料层中，所述孔洞位在所述沟渠的正上方；以及

形成一第二导电层填入所述孔洞。

10.根据权利要求9所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于所述材料层包含外延硅。

11.根据权利要求9所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于，在形成所述第二导电层于所述孔洞前，形成一颈氧化层围绕所述孔洞的一侧壁。

12.根据权利要求9所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于，在形成所述材料层后，形成一氧化硅层和一氮化硅层于材料层上。

13.根据权利要求12所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于所述孔洞延伸至所述氧化硅层和所述氮化硅层中。

14.根据权利要求13所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于，在形成所述第二导电层后，形成一第三导电层填入位于所述氧化硅层和所述氮化硅层中的所述孔洞。

15.根据权利要求14所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于所述第一导电层作为一上电极。

16.根据权利要求9所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于所述下电极的形成方式包含气体扩散工艺。

17.根据权利要求9所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于所述第一导电层包含多晶硅并且所述第二导电层包含多晶硅。

18.根据权利要求9所述的深沟渠元件的制作方法，其特征在于所述基底包含一半导体基底。