[发明专利]发光装置无效

专利信息
申请号: 201210055607.0 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN103165592A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 苏柏仁;李允立;施怡如;陈正言;许国君 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/64
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种发光装置,包括:

一绝缘基板,具有一上表面;

多个发光二极管芯片,配置于该绝缘基板上,且位于该上表面上,其中该些发光二极管芯片的主要发光波长在一特定色光的波长范围内,且至少有两个该些发光二极管芯片的主要发光波长不同;以及

一图案化导电层,配置于该绝缘基板与该些发光二极管芯片之间,且与该些发光二极管芯片电性接触。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中至少两个该些发光二极管芯片的主要发光波长的差值大于等于5纳米。

3.根据权利要求1所述的发光装置,其中该些发光二极管芯片为蓝光发光二极管芯片,且该特定色光为蓝光。

4.根据权利要求3所述的发光装置,其中该主要发光波长的范围大于等于430纳米且小于490纳米。

5.根据权利要求1所述的发光装置,其中该些发光二极管芯片为绿光发光二极管芯片,且该特定色光为绿光。

6.根据权利要求5所述的发光装置,其中该主要发光波长的范围大于等于490纳米且小于570纳米。

7.根据权利要求1所述的发光装置,其中该些发光二极管芯片为红光发光二极管芯片,且该特定色光为红光。

8.根据权利要求7所述的发光装置,其中该主要发光波长的范围大于等于610纳米且小于700纳米。

9.根据权利要求1所述的发光装置,其中该图案化导电层包括:

一内连接线路,对应于该些发光二极管芯片而设置,藉由该内连接线路使该些发光二极管芯片彼此电性连接;以及

一外连接线路,设置于该内连接线路的外侧。

10.根据权利要求1所述的发光装置,其中该图案化导电层与一外部电路电性连接。

11.根据权利要求10所述的发光装置,其中还包括至少一导电连接结构,连接于该图案化导电层与该外部电路之间。

12.根据权利要求1所述的发光装置,其中该绝缘基板的比热高于650J/Kg-K。

13.根据权利要求1所述的发光装置,其中该绝缘基板的热传导系数大于10W/m-K。

14.根据权利要求1所述的发光装置,其中该绝缘基板为一透明绝缘基板。

15.根据权利要求14所述的发光装置,其中该透明绝缘基板为蓝宝石基板。

16.根据权利要求1所述的发光装置,其中该些发光二极管芯片包括覆晶式发光二极管芯片。

17.根据权利要求1所述的发光装置,其中该图案化导电层内埋于该绝缘基板的该上表面。

18.根据权利要求1所述的发光装置,其中该图案化导电层配置于该绝缘基板的该上表面上。

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