[发明专利]栅介质层的制作方法、晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种栅介质层的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

利用热生长法在衬底上形成材质为氧化硅或氮氧化硅的界面层；

在所述界面层上形成高k栅介质层；

在界面层的制作步骤之后、高k栅介质层的制作步骤之前，利用含有O₃或含有H₂SO₄、H₂O₂的水溶液对所述界面层进行第一表面处理；

或者，在高k栅介质层的制作过程中，利用含有O₃或含有H₂SO₄、H₂O₂的水溶液对所述高k栅介质层进行第二表面处理。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一或第二表面处理中，所述水溶液的温度为10℃～70℃，表面处理时间为30s～120s。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一或第二表面处理中，所述水溶液中O₃的浓度为1ppm～100ppm，或者所述水溶液是由质量百分比为98％的浓H₂SO₄与质量百分比为10％～50％的H₂O₂按照1∶0.5～10∶1的体积比混合而成。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述界面层的厚度小于

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述高k栅介质层的介电常数大于8。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述高k栅介质层至少包括氧化铪、氮氧化铪、氧化锆、氮氧化锆中的一种。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述高k栅介质层的形成方法为原子层沉积法。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在衬底上形成所述界面层之前，去除衬底表面的天然氧化物。

9.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

利用权利要求1至8任一项所述的制作方法在所述衬底上形成栅介质层。

10.一种栅介质层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

利用热生长法在衬底上形成材质为氧化硅或氮氧化硅的界面层；

利用含有O₃或含有H₂SO₄、H₂O₂的水溶液对所述界面层进行第一表面处理；

然后，在所述界面层上形成高k栅介质层，且在制作高k栅介质层的过程中，利用含有O₃或含有H₂SO₄、H₂O₂的水溶液对所述高k栅介质层进行第二表面处理。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在第一或第二表面处理中，所述水溶液的温度为10℃～70℃，表面处理时间为30s～120s。

12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在第一或第二表面处理中，所述水溶液中O₃的浓度为1ppm～100ppm，或者所述水溶液是由质量百分比为98％的浓H₂SO₄与质量百分比为10％～50％的H₂O₂按照1∶0.5～10∶1的体积比混合而成。

13.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述界面层的厚度小于

14.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述高k栅介质层的介电常数大于8。

15.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述高k栅介质层至少包括氧化铪、氮氧化铪、氧化锆、氮氧化锆中的一种。

16.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述高k栅介质层的形成方法为原子层沉积法。

17.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在衬底上形成所述界面层之前，去除衬底表面的天然氧化物。

18.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

利用权利要求10至17任一项所述的制作方法在所述衬底上形成栅介质层。