[发明专利]晶片封装体

说明书

技术领域

本发明有关于一种晶片封装技术，特别有关于一种晶片封装体。

背景技术

目前业界针对晶片的封装已发展出一种晶圆级封装技术，半导体晶圆通常与玻璃基板接合在一起，并在半导体晶圆与玻璃基板之间设置间隔层。于晶圆级封装体完成之后，在各晶片之间进行切割步骤，以形成晶片封装体。

由于半导体基底、间隔层与玻璃基板的膨胀系数不同，若间隔层无法与半导体基底/玻璃基板紧密结合，将影响到封装体的可靠度，甚至导致半导体基底、间隔层与玻璃基板之间会产生脱层的现象，使得水气及空气进入晶片封装体，导致现有的晶片封装体发生电性不良。

因此，业界亟需一种晶片封装体，其可以克服上述问题，以增加晶片封装体的可靠度。

发明内容

本发明一实施例提供一种晶片封装体，包括：一半导体基底，具有一元件区以及一与元件区相邻的非元件区；一封装层，设置于半导体基底之上；一间隔层，设置于半导体基底与封装层之间，且围绕元件区与非元件区；一环状结构，设置于半导体基底之上以及封装层之下，并位于间隔层与元件区之间，且围绕一部分的非元件区；以及一辅助图案，包含设置于间隔层或环状结构中的中空图案、或设置于间隔层与元件区之间的实体图案、或前述的组合。

本发明所述的晶片封装体，其中该环状结构具有二个彼此分离的开口。

本发明所述的晶片封装体，还包括：至少一第二环状结构，设置于该半导体基底之上以及该封装层之下，并位于该间隔层与该元件区之间，且围绕另一部分的该非元件区。

本发明所述的晶片封装体，其中该中空图案包含圆形、半圆形、椭圆形、三角形、正方形、长条形、多边形、或前述的组合。

本发明所述的晶片封装体，其中该实体图案包含圆形、半圆形、椭圆形、三角形、正方形、长条形、多边形、或前述的组合。

本发明所述的晶片封装体，其中该实体图案包含多个分离的柱状结构、一围绕该元件区的连续图案或一具有中空结构的连续图案。

本发明所述的晶片封装体，其中该半导体基底、该封装层以及该间隔层之间围出一腔室，该连续图案将该腔室分割成一第一腔体与一第二腔体，并围绕该第一腔体，且该连续图案具有至少一通孔连通该第一腔体与该第二腔体。

本发明所述的晶片封装体，其中该通孔邻近该封装层。

本发明所述的晶片封装体，其中该通孔邻近该半导体基底。

本发明所述的晶片封装体，其中该半导体基底、该封装层以及该间隔层之间围出一腔室，该连续图案与该环状结构将该腔室分割成一第一腔体、一第二腔体与一第三腔体，其中该连续图案环绕该第一腔体，该环状结构环绕该第二腔体，该第三腔体位于该连续图案、该环状结构以及该间隔层的任两者之间，且该连续图案具有至少一第一通孔连通该第一腔体与该第三腔体，该环状结构具有至少一第二通孔连通该第二腔体与该第三腔体。

本发明所述的晶片封装体，其中该半导体基底、该封装层以及该间隔层之间围出一腔室，该环状结构将该腔室分割成一第三腔体与一第四腔体，并围绕该第三腔体，且该环状结构具有至少一通孔连通该第三腔体与该第四腔体。

本发明所述的晶片封装体，其中该实体图案在该元件区周围具有不对称的图案密度。

本发明所述的晶片封装体，还包括一设置于该间隔层与该半导体基底之间或设置于该间隔层与该封装层之间的粘着层，且该粘着层至少一部分填入该中空图案。

本发明所述的晶片封装体，其中该间隔层的材质包括一感光绝缘材料。

本发明所述的晶片封装体，其中该间隔层与该辅助图案为相同材料。

本发明所述的晶片封装体，该半导体基底还包括：一周边接垫区，围绕该元件区；以及多个导电垫，设置于该周边接垫区上。

本发明所述的晶片封装体，还包括：一导通孔，设置于该半导体基底的一表面上，且暴露出该导电垫；一绝缘层，设置于该半导体基底的该表面上，且延伸至该导通孔的侧壁上；一导线层，设置于该绝缘层上，且延伸至该导通孔的底部与该导电垫电性连接；一保护层，覆盖该导线层与该绝缘层，且具有一开口露出该导线层；以及一导电凸块，设置于该保护层的该开口中，且与该导线层电性连接。

本发明所述的晶片封装体，其中该实体图案包括至少一条状图案，该条状图案横跨一由该间隔层所围绕出的区域。

本发明所述的晶片封装体，其中该实体图案包括多个柱状结构，所述柱状结构沿着一条横跨一由该间隔层所围绕出的区域的线而排列。

本发明所述的晶片封装体，其中该环状结构呈圆形、半圆形、椭圆形、三角形、正方形、长条形、多边形、或前述的组合。