[发明专利]基板清洗装置及方法、显示装置的制造装置及其制造方法无效
申请号: | 201210041193.6 | 申请日: | 2012-02-21 |
公开(公告)号: | CN102646616A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 寺门秀晃;安藤佳大;西部幸伸;广濑治道;山元良高;田中康一;田中润一 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社;夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/08;B08B13/00;G02F1/1333 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐冰冰;黄剑锋 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 方法 显示装置 制造 及其 | ||
1.一种基板清洗装置,其特征在于,具备:
输送机构,输送基板;
旋转刷,由通过与所述基板摩擦而带负电的材料形成,通过与所述基板接触并进行旋转来除去所述基板上附着的污染粒子;和
第一清洗液供给部,向所述旋转刷供给含有带负电的微小气泡的清洗液。
2.一种基板清洗装置,其特征在于,具备:
输送机构,输送玻璃制的基板;
旋转刷,由通过与所述基板摩擦而带负电的尼龙形成,通过与所述基板接触并进行旋转来除去所述基板上附着的污染粒子;和
第一清洗液供给部,向所述旋转刷供给含有带负电的微小气泡的清洗液。
3.根据权利要求1或2所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第一清洗液供给部从所述基板被输送到与所述旋转刷的接触位置之前起,向所述旋转刷供给所述清洗液。
4.根据权利要求1或2所述的基板清洗装置,其特征在于,
除了所述第一清洗液供给部,还具备第二清洗液供给部,所述第二清洗液供给部向位于与所述旋转刷的接触位置上的所述基板供给所述清洗液;
在所述基板被输送到与所述旋转刷的接触位置的情况下,所述第一清洗液供给部停止所述清洗液的供给,所述第二清洗液供给部供给所述清洗液。
5.根据权利要求1或2所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述第一清洗液供给部被设置成能够切换清洗液供给方向,在所述基板被输送到与所述旋转刷的接触位置之前,向所述旋转刷供给所述清洗液,在所述基板被输送到与所述旋转刷的接触位置时,切换清洗液供给方向,向位于与所述旋转刷的接触位置上的所述基板供给所述清洗液。
6.一种基板清洗方法,其特征在于,具备:
输送基板的工序;和
向旋转刷供给含有带负电的微小气泡的清洗液的工序,所述旋转刷由通过与所述基板摩擦而带负电的材料形成,并通过与所述基板接触并进行旋转来除去所述基板上附着的污染粒子。
7.一种基板清洗方法,其特征在于,具备:
输送玻璃制的基板的工序;和
向旋转刷供给含有带负电的微小气泡的清洗液的工序,所述旋转刷由通过与所述基板摩擦而带负电的尼龙形成,并通过与所述基板接触并进行旋转来除去所述基板上附着的污染粒子。
8.根据权利要求6或7所述的基板清洗方法,其特征在于,
从所述基板被输送到与所述旋转刷的接触位置之前起,进行向所述旋转刷的所述清洗液的供给。
9.根据权利要求6或7所述的基板清洗方法,其特征在于,
具有向位于与所述旋转刷的接触位置上的所述基板供给所述清洗液的工序,在所述基板被输送到与所述旋转刷的接触位置时,停止向所述旋转刷的所述清洗液的供给,并且进行向所述基板的所述清洗液的供给。
10.根据权利要求6或7所述的基板清洗方法,其特征在于,
切换所述清洗液的供给方向,在所述基板被输送到与所述旋转刷的接触位置之前,向所述旋转刷供给所述清洗液,在所述基板被输送到与所述旋转刷的接触位置时,向位于与所述旋转刷的接触位置上的所述基板供给所述清洗液。
11.一种显示装置的制造装置,具备对所输送的显示装置用基板进行清洗的基板清洗装置,其特征在于,
所述基板清洗装置是权利要求1或2所述的基板清洗装置。
12.一种显示装置的制造方法,具有对所输送的显示装置用基板进行清洗的基板清洗工序,其特征在于,
所述基板清洗工序具有向旋转刷供给含有带负电的微小气泡的清洗液的工序,所述旋转刷由通过与所述基板摩擦而带负电的材料形成,并通过与所述基板接触并进行旋转来除去所述基板上附着的污染粒子。
13.一种显示装置的制造方法,具有对所输送的显示装置用的玻璃制基板进行清洗的基板清洗工序,其特征在于,
所述基板清洗工序具有向旋转刷供给含有带负电的微小气泡的清洗液的工序,所述旋转刷由通过与所述基板摩擦而带负电的尼龙形成,并通过与所述基板接触并进行旋转来除去所述基板上附着的污染粒子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造