[发明专利]制造半导体装置的装置和方法及制造电子设备的方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其包括：

处理室，其用期望的化学液来处理晶片的被处理膜；

膜厚度测量单元，其用于测量处理前的所述被处理膜的初始膜厚度和处理后的所述被处理膜的最终膜厚度；以及

主体控制单元，其用于由所述初始膜厚度、所述最终膜厚度、待处理晶片和下一个待处理的晶片之间的等待时间，以及从所述初始膜厚度直到所述最终膜厚度所花费的化学液处理时间而计算出所述化学液的处理速度，以便由所述算出的处理速度计算出所述下一个待处理的晶片的化学液处理时间，

其中，

所述主体控制单元中保持有表示所述化学液的所述处理速度相对于经历时间的变化率的变化曲线的数据，并且所述主体控制单元通过所述处理速度对应于所述处理室中待被化学液处理的晶片和下一个待处理的晶片之间的等待时间的所述变化率来计算校正后的处理速度，以便通过所述校正后的处理速度计算出所述下一个待处理的晶片的所述化学液处理时间。

2.如权利要求1所述的半导体制造装置，其中，

所述等待时间为第N块晶片的化学液处理和第(N+1)块晶片的化学液处理之间的时间，或者为第P组的化学液处理和第(P+1)组的化学液处理之间的时间，其中，N为自然数，P为自然数。

3.如权利要求1至2之一所述的半导体制造装置，其中，

在所述膜厚度测量单元中，对所述晶片上部的多个点处的膜厚度进行测量，并且对所述多个膜厚度进行统计处理，从而计算出所述初始膜厚度和所述最终膜厚度。

4.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：

将具有被处理膜的晶片置于处理室中；

测量处理前的所述被处理膜的初始膜厚度；

在期望的化学液处理时间内对所述晶片进行化学液处理；

测量处理后的所述被处理膜的最终膜厚度；

由所述初始膜厚度、所述最终膜厚度、待处理晶片和下一个待处理的晶片之间的等待时间，以及从所述初始膜厚度直到所述最终膜厚度所花费的化学液处理时间而计算出用于所述化学液处理的化学液的处理速度；并且

由所述算出的处理速度计算出所述下一个待处理的晶片的化学液处理时间，

其中，

由所述初始膜厚度、所述最终膜厚度以及从所述初始膜厚度直到所述最终膜厚度所花费的化学液处理时间而计算出用于所述化学液处理的化学液的处理速度，

当在所述处理室中经化学液处理的晶片和下一个待处理的晶片之间存在等待时间时，通过所述化学液的所述处理速度的对应于所述等待时间的变化率来校正所述算出的处理速度而得到校正后的处理速度，并且

将所述下一个待处理的晶片的被处理膜的初始膜厚度和目标膜厚度之间的差值除以通过所述校正后的处理速度计算出所述下一个待处理的晶片的所述化学液处理时间。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述等待时间是第N块晶片的化学液处理和第(N+1)块晶片的化学液处理之间的时间，或者是第P组的化学液处理和第(P+1)组的化学液处理之间的时间，其中，N为自然数，P为自然数。

6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述初始膜厚度和所述最终膜厚度是通过对所述晶片上部的多个点处的膜厚度进行测量以便由所述多个膜厚度而计算出的统计值。

7.一种电子设备的制造方法，该方法包括如权利要求4至6之一所述的半导体装置的制造方法。