[发明专利]溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机EL元件及其所用的衬底

权利要求书

1.一种有机EL元件用衬底，至少包含电极层和基材，其特征在于，该电极层含有选自下述A-1组的至少一种化合物、及选自B-1组的至少一种化合物，

上述电极层是设置在其上的有机EL层用阳极层，其离子化电位是5.6eV以上，

其中，A-1组：Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg的硫族化物、氧氮化物或氮化物；

B-1组：Nd、Sm、Eu、Tb、Ho的硫族化物、氧氮化物或氮化物。

2.一种有机EL元件用衬底，至少包含电极层和基材，其特征在于，该电极层含有选自下述A-2组的至少一种化合物、及选自B-2组的至少一种化合物，

上述电极层是设置在其上的有机EL层用阳极层，其离子化电位是5.6eV以上，

其中，A-2组：Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg的硫族化物、氧氮化物或氮化物；

B-2组：Nd、Sm、Eu、Tb、Ho的硫族化物。

3.根据权利要求1或2所述的有机EL元件用衬底，其特征在于，上述电极层的离子化电位是5.8eV以上。

4.根据权利要求1-3的任1项所述的有机EL元件用衬底，其特征在于，上述电极层的电阻率值为不足1Ω·cm。

5.根据权利要求1-4的任1项所述的有机EL元件用衬底，其中，上述A-1组或A-2组的化合物是Sn、In及Zn的硫族化物或氮化物中的任意一种。

6.根据权利要求1-5的任1项所述的有机EL元件用衬底，其中，上述A-1组、A-2组、B-1组和B-2组的上述硫族化物选自氧化物、硫化物、硒化物、碲化物的至少任意一种。

7.根据权利要求1-5的任1项所述的有机EL元件用衬底，其中，上述B-1组或B-2组的化合物是Nd、Sm、Eu、Tb及Ho的氧化物中的任意一种。

8.根据权利要求1-7的任1项所述的有机EL元件用衬底，其中，在将上述电极层的总量作为100at.％时，上述B-1组或B-2组的化合物的含量为0.5-30at.％范围内的值。

9.根据权利要求1-8的任1项所述的有机EL元件用衬底，其中，上述电极层的膜厚为0.5-1000nm范围内的值。

10.根据权利要求1-8的任1项所述的有机EL元件用衬底，其中，上述电极层的膜厚为1.0-800nm范围内的值。

11.根据权利要求1-8的任1项所述的有机EL元件用衬底，其中，上述电极层的膜厚为2.0-300nm范围内的值。

12.一种有机EL元件，具有至少依次层叠有机EL层用阳极层、有机发光层、有机EL层用阴极层的结构，其中，上述有机EL层用阳极层含有选自下述A-1组的至少一种化合物、及选自下述B-1组的至少一种化合物，其离子化电位是5.6eV以上，

其中，A-1组：Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg的硫族化物、氧氮化物或氮化物；

B-1组：Nd、Sm、Eu、Tb、Ho的硫族化物、氧氮化物或氮化物。

13.一种有机EL元件，具有至少依次层叠有机EL层用阳极层、有机发光层、有机EL层用阴极层的结构，其中，上述有机EL层用阳极层含有选自下述A-2组的至少一种化合物、及选自下述B-2组的至少一种化合物，其离子化电位是5.6eV以上，

其中，A-2组：Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg的硫族化物、氧氮化物或氮化物；

B-2组：Nd、Sm、Eu、Tb、Ho的硫族化物。

14.根据权利要求12或13所述的有机EL元件，其特征在于，上述有机EL层用阳极层的离子化电位是5.8eV以上。

15.根据权利要求12-14的任1项所述的有机EL元件，其中，上述有机EL层用阳极层的电阻率值为不足1Ω·cm的值。

16.根据权利要求12-15的任1项所述的有机EL元件，其中，上述A-1组或A-2组的化合物是Sn、In及Zn的硫族化物或氮化物中的任意一种。