[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

形成包括硅、氮和氢的第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上形成包括硅和氧的第二绝缘膜；

加热所述第一绝缘膜以从该第一绝缘膜除去所述氢的至少一部分；和

在加热所述第一绝缘膜的步骤之后，在所述第二绝缘膜上形成氧化物半导体膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第二绝缘膜之前执行所述加热的步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜通过等离子体CVD形成。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘膜通过溅射形成。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在包含大于或等于90％的氧的气氛中进行溅射来形成所述氧化物半导体膜。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在包含大于或等于90％的氧的气氛中进行溅射来形成所述第二绝缘膜。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括铟。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括铟、镓和锌。

9.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

形成包括硅、氮和氢的第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上形成包括硅和氧的第二绝缘膜；

加热所述第一绝缘膜以从该第一绝缘膜除去所述氢的至少一部分；

在加热所述第一绝缘膜的步骤之后，在所述第二绝缘膜上形成氧化物半导体膜；

在所述氧化物半导体膜之上形成第三绝缘膜，该第三绝缘膜包括硅和氧；

在所述第三绝缘膜之上形成第四绝缘膜，该第四绝缘膜包括氮化物；和

在形成所述第四绝缘膜之后，对所述氧化物半导体膜进行退火。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述第二绝缘膜之前执行所述加热的步骤。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜通过等离子体CVD形成。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘膜通过溅射形成。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，通过在包含大于或等于90％的氧的气氛中进行溅射来形成所述氧化物半导体膜。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，通过在包含大于或等于90％的氧的气氛中进行溅射来形成所述第二绝缘膜。

15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括铟。

16.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括铟、镓和锌。

17.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述氮化物为氮化硅。

18.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

在栅电极之上形成第一绝缘膜，该第一绝缘膜包括硅、氮和氢；

在所述第一绝缘膜上形成包括硅和氧的第二绝缘膜；

加热所述第一绝缘膜以从该第一绝缘膜除去所述氢的至少一部分；和

在加热所述第一绝缘膜的步骤之后，在所述第二绝缘膜上形成氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜包括将成为沟道形成区域的区域。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，在形成所述第二绝缘膜之前执行所述加热的步骤。

20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜通过等离子体CVD形成。

21.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘膜通过溅射形成。

22.如权利要求18所述的方法，其特征在于，通过在包含大于或等于90％的氧的气氛中进行溅射来形成所述氧化物半导体膜。

23.如权利要求18所述的方法，其特征在于，通过在包含大于或等于90％的氧的气氛中进行溅射来形成所述第二绝缘膜。

24.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括铟。