[发明专利]功率半导体元件及其相对至少一个太阳能电池的布置方案

权利要求书

1.功率半导体元件(20)，用于直接联接到太阳能电池的接触面上，带有：接触元件(22)和接触凸耳(28)，所述接触元件(22)和所述接触凸耳(28)各带有配属的至少一个第一或第二接触面(220、280)；至少一个功率半导体构件(24)，所述功率半导体构件的第一芯片接触面(240)与所述接触元件(22)连接，并且所述功率半导体构件(24)的第二芯片接触面(242)与所述接触凸耳(28)连接，并且所述功率半导体构件对抗环境影响地包围在所述至少一个功率半导体构件(24)的保护壳(26)中。

2.根据权利要求1所述的功率半导体元件，其中，所述功率半导体构件(24)是各带有阳极和阴极的肖特基二极管或带有pn结的半导体二极管。

3.根据权利要求2所述的功率半导体元件，其中，所述功率半导体构件(24)的所述阳极与所述接触元件(22)电导通地连接，并且所述功率半导体构件(24)的所述阴极与所述接触凸耳(28)电导通地连接。

4.根据权利要求1所述的功率半导体元件，其中，所述保护壳(26)由在加工状态中具有流动能力的合成材料(260)制成。

5.根据权利要求1所述的功率半导体元件，其中，所述保护壳(26)由一件式的或多件式的绝缘材料壳体(262)组成，所述绝缘材料壳体优选由基体(264)和盖子(266)构造，并且其中，所述基体(264)材料锁合地与所述接触元件(22)连接。

6.根据权利要求5所述的功率半导体元件，其中，所述基体(264)与所述盖子(266)材料锁合地彼此连接。

7.根据权利要求6所述的功率半导体元件，其中，所述绝缘材料壳体(262)以绝缘材料(268)灌注。

8.根据权利要求1所述的功率半导体元件，其中，所述接触元件(22)和所述接触凸耳(28)由平面的金属成形体、优选由铝制成的金属带形成。

9.根据权利要求8所述的功率半导体元件，其中，所述接触元件(22)和所述接触凸耳(28)就它们的最大的纵向扩展彼此垂直地布置。

10.根据权利要求1所述的功率半导体元件，其中，所述接触元件(22)和/或所述接触凸耳(28)具有至少一个一体式地与其一起构造的冷却装置(280)。

11.根据权利要求1所述功率半导体元件，其中，所述功率半导体构件(24)覆盖所述接触元件(22)的面积的至多10％、优选至多5％。

12.根据权利要求1至11之一的功率半导体元件(20)相对至少一个太阳能电池(10)的布置方案(1)，其中，所述接触元件(22)布置在所述太阳能电池(10)的背面(102)上，并且借助所述接触元件的至少一个第一接触面(220)与所述太阳能电池(10)的背面(102)的至少一个接触面(13)电连接，并且其中，所述接触凸耳(28)的所述至少一个第二接触面(280)要么与相同的太阳能电池(10)的正面(100)的至少一个接触面(16)电导通地连接，要么与其他太阳能电池(10)的背面(102)的至少一个接触面(14)电导通地连接，并且由此为一个或多个太阳能电池(10)构造旁路电流通道。

13.根据权利要求12所述的布置方案，其中，所述太阳能电池(10)的背面(102)构成所述太阳能电池的阳极，并且所述太阳能电池(10)的正面(100)构成所述太阳能电池的阴极。

14.根据权利要求12所述的布置方案，其中，所述功率半导体元件(20)的接触凸耳(28)与那些构成所述太阳能电池(10)彼此之间的串联电路的、平面的金属成形体(18)相同地构造。

15.根据权利要求12所述的布置方案，其中，所述至少一个功率半导体构件(24)与所述接触元件(22)的第一接触面(220)不平齐地布置。