[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210019756.1 申请日: 2012-01-11
公开(公告)号: CN102593078A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 波多俊幸 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495;H01L21/56
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;边海梅
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

(a)散热器,具有第一正面以及位于与所述第一正面相对侧上的第一背面;

(b)引线部分,具有多个引线以及芯片布置部分,所述芯片布置部分具有第二正面以及位于与所述第二正面相对侧上的第二背面;

(c)半导体芯片,其布置在所述芯片布置部分的所述第二正面上方;以及

(d)密封本体,其密封所述散热器的一部分、所述引线部分的一部分以及所述半导体芯片,

其中,构成所述引线部分的所述引线和所述半导体芯片相互电耦合,以及

其中,在所述密封本体中,所述散热器的所述第一正面与所述芯片布置部分的所述第二背面彼此相对布置。

2.根据权利要求1的半导体器件,其中,所述散热器的所述第一正面与所述芯片布置部分的所述第二背面相互电耦合。

3.根据权利要求2的半导体器件,其中,所述散热器的所述第一正面与所述芯片布置部分的所述第二背面通过焊料相互耦合。

4.根据权利要求3的半导体器件,其中,与所述散热器的所述第一背面相比,使所述散热器的所述第一正面的与所述密封本体接触的区域粗糙化。

5.根据权利要求1的半导体器件,其中,所述散热器的所述第一正面与所述芯片布置部分的所述第二背面相互电绝缘。

6.根据权利要求5的半导体器件,其中,在所述散热器的所述第一正面与所述芯片布置部分的所述第二背面之间布置所述密封本体的一部分。

7.根据权利要求6的半导体器件,其中,所述散热器的所述第一背面从所述密封本体露出。

8.根据权利要求6的半导体器件,其中,所述散热器的材料与所述引线部分的材料相互不同。

9.根据权利要求8的半导体器件,其中,所述散热器的材料是铝,而所述引线部分的材料是铜。

10.根据权利要求6的半导体器件,其中,在所述散热器的所述第一正面中形成从平面看大于所述芯片布置部分的外部形状的凹进部分。

11.根据权利要求10的半导体器件,其中,所述芯片布置部分布置在所述散热器的所述第一正面中形成的所述凹进部分中。

12.根据权利要求1的半导体器件,其中,所述半导体芯片是包括功率晶体管并且在芯片正面中具有源极焊盘和栅极焊盘而在位于与所述芯片正面相对侧上的芯片背面中具有漏极电极的芯片,

其中,所述引线部分包括源极引线、栅极引线和漏极引线,

其中,所述芯片布置部分与所述漏极引线相互接合,

其中,所述芯片布置部分的所述第二正面与所述漏极电极通过第一导电构件相互电耦合,

其中,所述源极焊盘与所述源极引线通过第二导电构件相互电耦合,以及

其中,所述栅极焊盘与所述栅极引线通过第三导电构件相互电耦合。

13.根据权利要求12的半导体器件,

其中所述源极引线包括源极引线柱,

其中所述栅极引线包括栅极引线柱,

其中所述芯片布置部分布置在所述源极引线柱和所述栅极引线柱之间,

其中所述半导体芯片布置在所述芯片布置部分的所述第二正面上方,以使得所述源极焊盘比所述栅极焊盘更接近所述源极引线柱,

其中所述第二导电构件与所述源极引线柱电耦合,以及

其中所述第三导电构件与所述栅极引线柱电耦合。

14.根据权利要求12的半导体器件,其中,所述第二导电构件由使用铝作为其材料的多个第一接线构成。

15.根据权利要求12的半导体器件,其中,所述第二导电构件由使用铝作为其材料的带或者使用铜作为其材料的夹片构成。

16.根据权利要求12的半导体器件,其中,所述第二导电构件由第一接线构成,并且所述第三导电构件由第二接线构成,以及

其中,所述第一接线的线直径大于所述第二接线的线直径。

17.根据权利要求12的半导体器件,其中,所述第一导电构件由焊料构成。

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