[发明专利]具有可移动部件的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种微电子机械系统(MEMS)结构，所述MEMS结构包括：

MEMS衬底；

半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，被设置在所述MEMS衬底上，其中所述第一导电塞被配置为用于电互连，所述第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；

MEMS器件，被配置在所述MEMS衬底上，并且与所述第一导电塞电连接；以及

盖顶衬底，接合至所述MEMS衬底，使得所述MEMS器件被封闭在所述盖顶衬底和所述MEMS衬底之间。

2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其中，所述第一导电塞和所述第二导电塞的所述半导体材料选自由多晶硅、硅锗、及其组合构成的组，或者

进一步包括：

所述半导体材料的第三导电塞，被设置在所述MEMS衬底上，并与所述第一导电塞电连接；

第一介电材料层，被设置在所述MEMS衬底上，并且嵌有所述第三导电塞；

蚀刻停止层，被设置在所述第一介电材料层上，并且包含氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、低应力氮化硅(SiN)、和氧化铝(Al₂O₃)中的至少一种；以及

第二介电材料层，被设置在所述蚀刻停止层上，并且嵌有所述第一导电塞，或者

其中所述MEMS衬底包括硅衬底、玻璃衬底和砷化镓(GaAs)衬底中的一种，或者

其中所述盖顶衬底包括互补金属氧化物半导体(CMOS)衬底、MEMS衬底、及其组合中的一种，或者

进一步包括互连结构，所述互连结构被设置在所述盖顶衬底上，其中所述互连结构包括钨塞和金属线，或者

其中，所述第一导电塞和所述第二导电塞的所述半导体材料选自由多晶硅、硅锗、及其组合构成的组，并且进一步包括：所述半导体材料的导电线，所述导电线被设置在所述MEMS衬底上，并且连接至所述第一导电塞，或者

进一步包括：接合部件，形成在所述MEMS衬底上，并且被配置为被所述第一导电塞包围，其中

所述接合部件具有从所述第一导电塞凹陷的表面；以及

所述盖顶衬底通过所述接合部件与所述盖顶衬底接合在一起，或者

其中

所述MEMS衬底进一步包括通孔和被设置在所述通孔中的金属部件；以及

所述金属部件延伸穿过所述MEMS衬底，电连接至在远离所述第一导电塞的所述MEMS衬底的表面上设置的焊料凸块部件，并且进一步通过所述第一导电塞电连接至所述MEMS器件。

3.一种微电子机械系统(MEMS)结构，所述MEMS结构包括：

第一衬底；

第一多晶硅塞，被设置在所述第一衬底上，其中所述第一多晶硅塞被配置为用于电互连；

MEMS器件，被配置为位于所述第一衬底上，并且与所述第一多晶硅塞电连接；以及

第二衬底，接合至所述第一衬底，使得所述MEMS器件被封闭。

4.根据权利要求3所述的MEMS结构，进一步包括：

第二多晶硅塞，被设置在所述第一衬底上，并且与所述第一多晶硅塞电连接；

第一介电材料层，被设置在所述第一衬底上，并且嵌有所述第二多晶硅塞；

蚀刻停止层，被设置在所述第一介电材料层上；

第二介电材料层，被设置在所述蚀刻停止层上，并且嵌有所述第一多晶硅塞；以及

第三导电塞，嵌入所述第二介电材料层中，邻近所述MEMS器件，并且被配置为抗静摩擦力凸块。

5.根据权利要求4所述的MEMS结构，其中，所述蚀刻停止层包含氮化铝，或者

其中，所述第一多晶硅塞和所述蚀刻停止层进一步起到在蚀刻工艺期间停止蚀刻以制造所述MEMS器件的作用。