[发明专利]发光二极管组件、照明装置及背光模块

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管组件、照明装置及背光模块，尤其涉及一种可多方发光的发光二极管组件。

背景技术

发光二极管组件是使用III-V族元素作为发光层的主要材质。藉由对发光层施加电流，发光层中的电子与电洞可结合，进而使发光层发光。有别于传统的加热或放电等发光方式，由于发光二极管组件的发光现象是属于冷性发光，因此发光二极管组件的使用寿命长，且无须暖灯时间(idling time)。此外，发光二极管组件亦具有反应速度快、体积小、用电省、污染低(不含水银)、高可靠度、适合量产等优点，因此发光二极管组件已广泛地被应用在各种领域中。

一般而言，发光二极管组件的承载基板以及线路层通常是采用高导电率及高热传导系数的金属材料。然而，以金属材料制成的承载基板及线路层虽然分别具有良好的热传导及导电效果，但是以金属材料所制作的承载基板及线路层会遮蔽光线，而无法让光线透出。因此，现有的发光二极管组件只能在承载基板的单侧发光。

发明内容

本发明提供一种发光二极管组件，其具有多方发光的功效。

本发明提出一种发光二极管组件，包括透光基板、透光线路层以及至少一发光二极管元件。透光线路层配置于透光基板上。发光二极管元件配置于透光基板上且与透光线路层电性连接。

本发明提出一种照明装置，包括灯罩以及所述的发光二极管组件，其中所述的发光二极管组件配置于灯罩内。

本发明提出一种背光模块，包括所述的发光二极管组件以及至少一导光元件，其中导光元件配置于所述的发光二极管组件上。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管组件可进一步包括封胶体。所述的封胶体覆盖发光二极管元件。

在本发明的一实施例中，上述发光二极管组件可进一步包括荧光体。所述的荧光体覆盖发光二极管元件。

在本发明的一实施例中，上述的荧光体分布于封胶体中。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管组件可进一步包括阻挡结构(dam)。所述的阻挡结构环绕封胶体。

在本发明的一实施例中，上述的阻挡结构的材质包括：硅胶。

在本发明的一实施例中，上述的至少一发光二极管元件为多个发光二极管元件，这些发光二极管元件中的至少二个发光二极管元件所发出之光束的波长频带(wavelength band)不完全相同。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管元件其中至少一所发出的波长介于310纳米(nm)至750纳米(nm)。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管组件可进一步包括多个封胶体。这些封胶体分别覆盖发光二极管元件。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管组件可进一步包括多个阻挡结构。这些阻挡结构分别环绕封胶体。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管组件可进一步包括多个荧光体。这些荧光体分别分布于封胶体中。

在本发明的一实施例中，上述的荧光体中至少二荧光体的成份不相同。

在本发明的一实施例中，上述的荧光体的成份为黄磷、红磷、绿磷或其组合。

在本发明的一实施例中，上述的透光基板具有至少一凹槽，而发光二极管元件配置于所述的凹槽中。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管元件以覆晶(flip chip)的方式与透光线路层电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的透光基板的热传导系数大于2瓦/米·开尔文(W/m.K.)。

在本发明的一实施例中，上述的透光线路层的材质包括氧化锡锑(ATO)、氧化锌铝(AZO)或铟锡氧化物(ITO)。

基于上述，由于本发明的发光二极管组件采用透光基板以及透光线路层，因此发光二极管元件所发出的光不仅可朝远离透明基板之方向传递，其更可穿过透明基板，进而使本发明的发光二极管组件达到多方发光的效果。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A是本发明一实施例的发光二极管组件的上视示意图。

图1B是沿着图1A的剖线II’所显示的剖面示意图。

图2A是本发明另一实施例的发光二极管组件的上视示意图。

图2B是沿着图2A的剖线II II’所显示的剖面示意图。

图3A是本发明又一实施例的发光二极管组件的上视示意图。

图3B是沿着图3A的剖线III III’所显示的剖面示意图。