[发明专利]半导体发光元件以及使用它的发光装置无效

专利信息
申请号: 201180067991.X 申请日: 2011-07-26
公开(公告)号: CN103380551A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 折田贤儿;山中一彦 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01S5/10 分类号: H01S5/10;H01L33/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 元件 以及 使用 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体发光元件,包括:

基板;

半导体层叠膜,其包括在上述基板上形成的为第一导电类型的第一覆盖层、在该第一覆盖层上形成的发光层、以及在该发光层上形成的为第二导电类型的第二覆盖层,且具有光波导;

与上述第一覆盖层电连接形成的第一电极;以及

与上述第二覆盖层电连接形成的第二电极,

上述发光层产生在上述光波导中进行导波的导波光、以及在上述光波导中不进行导波的非导波光,

上述非导波光从上述基板侧以及上述半导体层叠膜侧当中的任意一侧向外部放射。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其中,

上述第二电极包括由相对于上述导波光以及非导波光呈透明的材料形成的透明电极。

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件,其中,

上述第二电极包括非透明电极,该非透明电极形成在上述透明电极上的除了上述光波导以外的区域上、并且由相对于上述导波光以及非导波光呈非透明的材料形成。

4.根据权利要求1~3的任意一项所述的半导体发光元件,其中,

还具有形成在上述发光层的下方且反射上述非导波光的反射部。

5.根据权利要求4所述的半导体发光元件,其中,

上述反射部包括反射膜,该反射膜由在上述基板的与形成了上述半导体层叠膜的面相反一侧的面上形成的金属构成。

6.根据权利要求4所述的半导体发光元件,其中,

上述反射部包括形成在上述基板上且由折射率与上述半导体层叠膜不同的材料构成的膜。

7.根据权利要求4所述的半导体发光元件,其中,

上述反射部包括在上述基板的上部形成的凹部。

8.根据权利要求1~7的任意一项所述的半导体发光元件,其中,

上述光波导的端面相对于与上述基板面垂直的方向倾斜。

9.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其中,

上述基板由相对于上述导波光以及非导波光呈透明的材料构成。

10.根据权利要求9所述的半导体发光元件,其中,

上述第二电极由反射上述非导波光的材料构成。

11.根据权利要求9或10所述的半导体发光元件,其中,

上述第一电极包括由相对于上述导波光以及非导波光呈非透明的材料构成的非透明电极,

上述非透明电极在上述光波导之下具有开口部。

12.根据权利要求9~11的任意一项所述的半导体发光元件,其中,

上述基板在与形成了上述半导体层叠膜的面相反一侧的面上包括一维周期或二维周期的凹凸部。

13.根据权利要求9~12的任意一项所述的半导体发光元件,其中,

上述光波导的端面相对于与上述基板面垂直的方向倾斜。

14.一种发光装置,具有:

权利要求1~8的任意一项所述的半导体发光元件;以及

保持上述半导体发光元件的封装件,

上述半导体发光元件被保持为上述基板侧的面与上述封装件相接,

将从上述半导体发光元件放射的上述导波光和上述非导波光,从上述封装件的上方,向外部放射。

15.一种发光装置,具有:

权利要求1以及9~13的任意一项所述的半导体发光元件;以及

保持上述半导体发光元件的封装件,

上述半导体发光元件被保持为上述半导体层叠膜侧的面与上述封装件相接,

将从上述半导体发光元件放射的上述导波光和上述非导波光,从上述封装件的上方,向外部放射。

16.根据权利要求14或15所述的发光装置,其中,

上述封装是具有底面以及侧壁面的凹形状,

上述侧壁面倾斜为与上述底面的角度呈钝角,且反射上述导波光。

17.根据权利要求14~16的任意一项所述的发光装置,其中,

还具有:设置在上述封装件的上方且包括荧光体的部件。

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