[发明专利]固体摄像装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种固体摄像装置。

背景技术

作为固体摄像装置，已知有如下装置(例如参照专利文献1)，其具备：光电转换部，其具有对应于光入射而产生电荷的多个光感应区域；及电位梯度形成部，其具有与多个光感应区域相对配置的导电性构件。专利文献1所记载的固体摄像装置中，电位梯度形成部形成沿规定方向升高的电位梯度。通过利用该电位梯度使电荷移动，而可谋求电荷读出的高速化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-268564号公报

发明内容

发明所要解决的问题

关于导电性构件的电阻值，考虑固体摄像装置的动作及特性的稳定性而设定。例如，导电性构件的电阻值以如下方式设定：相对于光感应区域中产生的电荷量而获得充分的读出速度，同时抑制导电性构件的发热量而不增加暗电流。然而，导电性构件存在个体差异，因该个体差异而导致导电性构件的电阻值在每个产品产生偏差时，有产生变得难以确保固体摄像装置的动作及特性的稳定性的问题点的担忧。

因此，本发明的目的在于提供一种固体摄像装置，其电位梯度形成部的导电性构件的电阻值难以产生偏差，可确保动作及特性的稳定性。

解决问题的技术手段

本发明者等人对导电性构件的个体差异，尤其是电阻率(电阻值)的偏差进行调查研究，结果发现如下现象。导电性构件的电阻率的偏差根据电阻率的值而变化。例如，在使用由多晶硅构成的导电性构件作为导电性构件的情形时，显示出以下倾向：在电阻率设定得较低的情形时难以产生偏差，而于电阻率设定得较高的情形时容易产生偏差。因此，若将导电性构件的电阻率设定为难以产生偏差的值，则偏差得以降低。然而，考虑偏差而设定的值未必为确保固体摄像装置的动作及特性的稳定性的值，故而难以解决上述问题点。

根据上述现象，本发明为一种固体摄像装置，其具备：光电转换部，其具有多个光感应区域，上述光感应区域对应于光入射而产生电荷且平面形状形成为由两条长边与两条短边所成的大致矩形形状，且并列设置于与长边交叉的第1方向上；电位梯度形成部，其具有与多个光感应区域相对配置的导电性构件，且形成沿自光感应区域的一短边侧朝向另一短边侧的第2方向而升高的电位梯度；及电荷输出部，其取得自多个光感应区域分别传输的电荷，并沿第1方向传输而输出；导电性构件包含：第1区域，其在第2方向上的两端部间沿第2方向延伸且具有第1电阻率；及第2区域，其在两端部间沿第2方向延伸且具有小于第1电阻率的第2电阻率。

本发明的固体摄像装置中，导电性构件包含具有第1电阻率的第1区域、及具有小于第1电阻率的第2电阻率的第2区域。由于第1区域与第2区域的电阻率不同，故而第1区域与第2区域中的任一者较另一者难以产生电阻率的偏差。因此，就导电性构件整体来看，电阻率的偏差被抑制得较低。

本发明中，导电性构件的电阻以将第1区域的电阻与第2区域的电阻并联而成的合成电阻而表示。因此，由第1区域的电阻与第2区域的电阻构成的合成电阻的值设定为确保固体摄像装置的动作及特性的稳定性的值即可。因此，可容易地将导电性构件的电阻值设定为确保固体摄像装置的动作及特性的稳定性的值，且不会对偏差的抑制产生影响。

导电性构件可由添加有杂质的多晶硅构成，且第2区域的杂质的浓度比第1区域高。在这种情况下，由多晶硅构成的导电性构件包含电阻率不同的第1区域与第2区域。因此，可将导电性构件的电阻率的偏差抑制得较低，并可确保固体摄像装置的动作及特性的稳定性。

导电性构件可包含多个第1区域及多个第2区域，且第1区域与第2区域沿第1方向交替配置。在这种情况下，电荷的读出速度或导电性构件中的发热量在整个第1方向上变得大致均匀，固体摄像装置的动作及特性更加稳定。

第2区域可对应于每个光感应区域而配置。在这种情况下，电荷的读出速度或导电性构件中的发热量在各光感应区域中变得大致均匀，固体摄像装置的动作及特性更加稳定。

电位梯度形成部可进而包含在第1方向上遍及且分别连接于两端部的一对电极。在这种情况下，导电性构件的两端部的电位在整个第1方向上变得大致均匀，且电位梯度于整个第1方向上大致均匀地形成。其结果，固体摄像装置的动作及特性更加稳定。

发明的效果

根据本发明，可提供一种固体摄像装置，其电位梯度形成部的导电性构件的电阻值难以产生偏差，且可确保动作及特性的稳定性。

附图说明

图1为表示本实施方式的固体摄像装置的结构的平面图。