[发明专利]固体摄像装置有效
| 申请号: | 201180065078.6 | 申请日: | 2011-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN103314441A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
| 发明(设计)人: | 池谷友浩;米田康人;铃木久则;村松雅治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
1.一种固体摄像装置,其特征在于,
具备:
光电转换部,其具有多个光感应区域,所述光感应区域对应于光入射而产生电荷且平面形状形成为由两条长边与两条短边所形成的大致矩形形状,且所述多个光感应区域并列设置于与所述长边交叉的第1方向上;
电位梯度形成部,其具有与所述多个光感应区域相对配置的导电性构件,且形成沿第2方向升高的电位梯度,所述第2方向为自所述光感应区域的一个所述短边侧朝向另一个所述短边侧的方向;及
电荷输出部,其取得自所述多个光感应区域分别传输的电荷,并沿所述第1方向传输而输出;
所述导电性构件包含:第1区域,其在所述第2方向上的两端部间沿所述第2方向延伸且具有第1电阻率;及第2区域,其在所述两端部间沿所述第2方向延伸且具有小于所述第1电阻率的第2电阻率。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述导电性构件由添加有杂质的多晶硅构成;
所述第2区域中,所述杂质的浓度比所述第1区域高。
3.如权利要求1或2所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述导电性构件包含多个所述第1区域及多个所述第2区域;
所述第1区域与所述第2区域沿所述第1方向交替配置。
4.如权利要求3所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述第2区域对应于每个所述光感应区域而配置。
5.如权利要求1至4中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述电位梯度形成部进而包含在所述第1方向上遍及且分别连接于所述两端部的一对电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





