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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置、及半导体装置的制造方法-CN201880087178.0有效
发明人：高木慎一郎;米田康人;村松雅治;井上直;山本宙和;中田慎一;小山卓雄 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备：支承体，其具有安装区域；半导体芯片，其经由规定距离配置于安装区域上；凸块，其配置于支承体与半导体芯片之间；壁部，其以沿半导体芯片的外缘的一部分的方式配置于支承体与半导体芯片之间；及底部填充树脂层，其配置于支承体与半导体芯片之间；底部填充树脂层覆盖壁部的外侧的侧面。
半导体装置制造方法

[发明专利]背面入射型固体摄像元件和其制造方法-CN201680078756.5有效
发明人：大塚慎也;铃木久则;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明的背面入射型固体摄像元件中，在摄像区域内有第一电荷输送电极组(垂直移位寄存器)，在摄像区域的周边区域内有第二电荷输送电极组(水平移位寄存器)。与周边区域对应的半导体基板(4)的光入射面被蚀刻，在蚀刻后的区域内填充有无机的遮光物质(SH)。无机的遮光物质在真空环境下蒸发而气化的量极少，气化的气体对摄像的影响较少。
背面入射固体摄像元件制造方法

[发明专利]配线构造体的制造方法-CN201680058496.5有效
发明人： 村松雅治;铃木久则;米田康人;大塚慎也;高桥弘孝 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2016-09-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明的配线构造体的制造方法为设置有配线图案的配线构造体的制造方法，包含：第1步骤，至少沿着配线图案的形成预定区域而硅基板的表面形成绝缘层；第2步骤，沿着形成预定区域在绝缘层上形成硼层；及第3步骤，通过镀覆而在硼层上形成金属层。
构造制造方法

[发明专利]背面入射型固体摄像元件-CN201680059110.2有效
发明人： 村松雅治;铃木久则;米田康人;大塚慎也;高桥弘孝 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的背面入射型固体摄像元件具备：半导体基板，其具有表面及设置有凹部的背面，且将作为凹部的底部分的薄化部分设为摄像区域；信号读出电路，其形成于半导体基板的表面；硼层，其至少形成于半导体基板的背面及凹部的侧面；金属层，其形成于硼层上，且设置有与凹部的底面相对的开口；及防反射层，其形成于凹部的底面。
背面入射固体摄像元件

[发明专利]光检测器-CN202080068182.X在审
发明人： 村松雅治;米田康人;小林宏也;阿部哲也;谷口健一郎 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种光检测器。光检测器具备受光元件和封装体。封装体具有：收容部件，其由陶瓷形成；配线，其包含通过导线与受光元件的端子连接的焊盘；及光透过部件。在收容部件的底壁，形成有通过粘接部件安装有受光元件的载置面。在收容部件的底壁或侧壁，形成有位于比载置面更靠收容部件的开口侧的位置且配置有焊盘的焊盘面。在侧壁形成有贯通孔。贯通孔的内侧端部的至少一部分位于比受光元件的开口侧的表面更靠开口侧的位置。
检测器

[发明专利]背面入射型摄像元件-CN202080063858.6在审
发明人： 村松雅治;高木慎一郎;米田康人 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H04N5/372 文献下载
摘要：一种背面入射型摄像元件，具备：半导体基板，其具有表面及上述表面的相反侧的背面，且被赋予接地电位；及半导体层，其形成于上述表面上；上述半导体层具有：第1元件部，其包含根据来自上述背面侧的入射光而产生信号电荷的受光部，且输出与上述信号电荷对应的信号电压；及第2元件部，其包含将自上述第1元件部输出的上述信号电压转换为数字信号的模拟‑数字转换器；与上述表面及上述背面交叉的第1方向上的上述半导体基板的厚度，与自上述第1方向观察与上述受光部对应的上述半导体基板的第1区域相比，在自上述第1方向观察与上述模拟‑数字转换器对应的上述半导体基板的第2区域中相对较厚。
背面入射摄像元件

[发明专利]固体摄像装置-CN201880057243.5有效
发明人：高木慎一郎;米田康人;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H04N5/372 文献下载
摘要：第一区域包含排列于第一方向的多个第一传送列区域。第二区域包含排列于第一方向的多个第二传送列区域。第二区域在第二传送部中的电荷传送方向上位于第一区域的下游。多个第一传送列区域的第二方向上的长度相同。多个第二传送列区域的第二方向上的长度大于第一传送列区域的长度，且在电荷传送方向上越为位于下游侧的第二传送列区域则越大。第三区域对应于第一区域而配置，且沿第一方向延伸。第四区域对应于第二区域而配置，且以第二方向上的与像素区域的间隔对应于多个第二传送列区域的长度变化而在电荷传送方向上增大的方式延伸。
固体摄像装置

[发明专利]背面入射型固体摄像装置-CN201580048212.X有效
发明人：高木慎一郎;前田坚太郎;米田康人;铃木久则;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明的背面入射型固体摄像装置(SI)包括半导体基板(1)、移位寄存器(19)、及遮光膜(57)。半导体基板(1)在背面侧具有光入射面，并且具有根据光入射而产生电荷的受光部(13)。移位寄存器(19)设置于半导体基板(1)的与光入射面相反侧的光检测面(7)侧。遮光膜(57)设置于半导体基板(1)的光检测面(7)侧。遮光膜(57)具有与光检测面(7)相对的凹凸面(57a)。
背面入射固体摄像装置

[发明专利]配线构造体及配线构造体的制造方法-CN201680058495.0有效
发明人： 村松雅治;铃木久则;米田康人;大塚慎也;高桥弘孝 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2016-09-01 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明的配线构造体为设置有包含贯通配线图案的配线图案的配线构造体，具备：硅基板，具有配置有贯通配线图案的贯通孔；绝缘层，至少沿着配线图案，设置于包含贯通孔的内表面的硅基板的表面；硼层，沿着配线图案设置于绝缘层上；及金属层，设置于硼层上。
构造制造方法

[发明专利]背照式传感器及制造传感器的方法-CN201980041049.2在审
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;张璟璟;约翰·费尔登;戴维·L·布朗;村松雅治;米田康人;大塚慎也 -专利权人：科磊股份有限公司;滨松光子学株式会社
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于电子或短波长光的图像传感器，其包含半导体薄膜、在所述半导体薄膜的表面上形成的电路元件及所述半导体薄膜的另一表面上的纯硼层。所述电路元件由包括耐火金属的金属互连件连接。抗反射或保护层可在所述纯硼层的顶部上形成。此图像传感器即使以高通量连续使用多年也具有高效率及良好稳定性。所述图像传感器可使用CCD(电荷耦合装置)或CMOS(互补金属氧化物半导体)技术来制造。所述图像传感器可为二维区域传感器或一维阵列传感器。
背照式传感器制造方法

[发明专利]固体摄像装置-CN201880057247.3在审
发明人：高木慎一郎;间瀬光人;平光纯;米田康人;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：光感应区域包含第一杂质区域、及与第一杂质区域相比杂质浓度较高的第二杂质区域。光感应区域具有在第二方向上远离传送部的一端、与在第二方向上靠近传送部的另一端。第二杂质区域的俯视时的形状相对于沿着第二方向的光感应区域的中心线为线对称。第二杂质区域在第一方向上的宽度沿自一端朝向另一端的传送方向增加。将光感应区域在第二方向上分割成n个的各区间中的第二杂质区域的宽度的增加率在传送方向上逐渐增大。n为2以上的整数。
固体摄像装置

[发明专利]固体摄像装置-CN201580046692.6有效
发明人：高木慎一郎;前田坚太郎;米田康人;铃木久则;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：固体摄像装置(SI)具备多个光电转换部、及存储在对应的光电转换部所产生的电荷的多个电荷存储部。光电转换部包含：光感应区域，其根据光入射而产生电荷；电位梯度形成部，其向第二方向(D2)促进光感应区域中的电荷的移动。电荷存储部包含杂质浓度朝向第二方向(D2)阶段性地单向变化的多个区域(半导体层)(22、23、24)、对多个区域(22、23、24)施加电场的电极(32、33)。电极(32)配置为横跨杂质浓度阶段性地不同的多个区域(22、23)。电极(33)配置为横跨杂质浓度阶段性地不同的多个区域(23、24)。
固体摄像装置

[发明专利]电荷耦合元件及其制造方法、以及固体摄像装置-CN201480058196.8有效
发明人：高木慎一郎;米田康人;铃木久则;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：各个像素区域(PX)具备光电转换区域(S1)、电阻性栅极电极(R)、第一传送电极(T1)、第二传送电极(T2)、位于半导体基板(10)中第一传送电极(T1)的正下方的屏障区域(B)、及位于半导体基板(10)中第二传送电极(T2)的正下方的电荷储存区域(S2)。屏障区域(B)的杂质浓度低于电荷储存区域(S2)的杂质浓度，且第一传送电极(T1)与第二传送电极(T2)电连接。
电荷耦合元件及其制造方法以及固体摄像装置

[发明专利]线性图像传感器-CN201480059141.9有效
发明人：高木慎一郎;米田康人;铃木久则;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：光检测部AR以具有沿着列方向排列的多个像素区域PX的方式被分割。将来自多个像素区域PX的信号分别按各光检测部AR累计，作为与一维的光学图像对应的电信号而依时间顺序输出。各个像素区域PX具备促进光电转换区域内的电荷的传送的电阻性栅电极R与电荷存储区域S2，漏极区域ARD隔着沟道区域而邻接于电荷存储区域S2。
线性图像传感器

[发明专利]光半导体装置的制造方法-CN201810287582.4在审
发明人： 村松雅治;宫﨑康人;高桥弘孝 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及光半导体装置的制造方法。光半导体装置(1)的制造方法具备：准备具有多个光电转换部的半导体基板、以将多个光电转换部的各个互相隔开的方式将沟槽形成于半导体基板、由气相生长法将硼层形成于沟槽的内面、通过对硼层施以热扩散处理从而沿着沟槽的内面将累积层形成于半导体基板。
光半导体装置半导体基板光电转换部内面硼层制造气相生长法沟槽形成互相隔开累积层热扩散

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