[发明专利]形成硬盘用被膜的组合物有效

专利信息
申请号: 201180061314.7 申请日: 2011-12-21
公开(公告)号: CN103262165A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 加藤拓;首藤圭介;小林淳平;铃木正睦 申请(专利权)人: 日产化学工业株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;C08F8/00;C08F12/36;C08F290/12;G11B5/65;G11B5/855
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;田欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 形成 硬盘 用被膜 组合
【权利要求书】:

1.一种形成硬盘用平坦化膜的组合物,其包含疏水性被覆材,所述疏水性被覆材由选自(A1)、(A2)、(A3)、(a1)、(a2)和(a3)中的至少1种聚合物或至少1种聚合物与至少1种化合物的组合构成,并且具有光聚合性基和芳香族基,所述(A1)为包含芳香族基,具有300~5000的分子量,在大气压下常温下为液体的聚合物,所述(A2)为包含至少2个光聚合性基,具有300~5000的分子量,在大气压下常温下为液体的聚合物,所述(A3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基,具有300~5000的分子量,在大气压下常温下为液体的聚合物,所述(a1)为包含芳香族基,具有100~1000的分子量,在大气压下常温下为液体的化合物,所述(a2)为包含至少2个光聚合性基,具有100~1000的分子量,在大气压下常温下为液体的化合物,所述(a3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基,具有100~1000的分子量,在大气压下常温下为液体的化合物。

2.根据权利要求1所述的形成平坦化膜的组合物,所述光聚合性基为丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基。

3.根据权利要求1或2所述的形成平坦化膜的组合物,所述芳香族基为包含苯环的基团。

4.根据权利要求1~3的任一项所述的形成平坦化膜的组合物,所述疏水性被覆材为单独的所述(A3)、(A1)与(A2)的混合物、(A1)与(A3)的混合物、(A2)与(A3)的混合物、(A3)与(a3)的混合物、(A1)与(a3)的混合物、或(A1)与(a2)的混合物。

5.根据权利要求1~3的任一项所述的形成平坦化膜的组合物,所述疏水性被覆材为单独的所述(A3)、或(A1)与(a2)的混合物。

6.根据权利要求1~5的任一项所述的形成平坦化膜的组合物,所述(A3)为均聚物或共聚物。

7.根据权利要求1~6的任一项所述的形成平坦化膜的组合物,由所述形成平坦化膜的组合物获得的平坦化膜为在水接触角测定中该平坦化膜与水的接触角为70°~150°的具有疏水性的膜。

8.根据权利要求1~7的任一项所述的形成平坦化膜的组合物,其还包含光聚合引发剂和溶剂。

9.根据权利要求1~8的任一项所述的形成平坦化膜的组合物,由所述形成平坦化膜的组合物获得的膜为能够通过采用非卤素系的干蚀刻气体进行回蚀而平坦化的膜。

10.一种硬盘的制造方法,其包括下述工序:在磁性体上形成凹凸的第1工序;用权利要求1~9的任一项所述的形成平坦化膜的组合物被覆该凹凸的第2工序;通过蚀刻,将被覆了的膜表面进行平坦化,并且使磁性体表面露出的第3工序。

11.根据权利要求10所述的硬盘的制造方法,其还包括作为第4工序的将硬质物质被覆的工序。

12.根据权利要求10或11所述的硬盘的制造方法,在所述第1工序中形成凹凸的工序采用纳米压印法进行。

13.根据权利要求10~12的任一项所述的硬盘的制造方法,在所述第3工序中平坦化采用干蚀刻进行。

14.根据权利要求10~13的任一项所述的硬盘的制造方法,在所述第4工序中使用的硬质物质为类金刚石碳。

15.一种形成磁性物质的扩散防止膜的组合物,其包含疏水性被覆材,所述疏水性被覆材由选自所述(A1)、(A2)、(A3)、(a1)、(a2)和(a3)中的至少1种聚合物或至少1种聚合物与至少1种化合物的组合构成,并且具有光聚合性基和芳香族基。

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