[发明专利]半导体电容器

权利要求书

1.一种电容器，其包括：

半导体晶片中的开口；

位于所述开口内和接触所述半导体晶片的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有基本均匀的厚度；

位于所述开口内和接触所述第一绝缘层的第一导电结构，所述第一导电结构具有基本均匀的厚度；

位于所述开口内和接触所述第一绝缘层和所述第一导电结构的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有基本均匀的厚度；和

位于所述开口内和接触所述第二绝缘层的第二导电结构，所述第二导电结构具有基本均匀的厚度；

2.根据权利要求1所述的电容器，其中：

所述第一导电结构的第一部分垂直地位于所述第二导电结构的下面，所述第一部分位于所述开口内；和

所述第一导电结构的第二部分垂直地位于非所述第二导电结构的部分的下面，所述第二部分位于所述开口内。

3.根据权利要求1所述的电容器，其中所述第一导电结构，所述第二绝缘层，和所述第二导电结构完全地位于所述开口内。

4.根据权利要求1所述的电容器进一步包括接触所述第一导电结构、所述第二绝缘层和所述第二导电结构的第三绝缘层。

5.根据权利要求4所述的电容器，进一步包括：通过所述第三绝缘层延伸的第一金属接触，从而使得电连接到所述第一导电结构上；和

通过所述第三绝缘层延伸的第二金属接触，从而使得电连接到所述第二导电结构上。

6.根据权利要求5所述的电容器，其中所述第一金属接触与所述第二导电结构分离，并且所述第二金属接触与所述第一导电结构分离。

7.根据权利要求5所述的电容器，其中所述第一导电结构接触所述第一金属接触的底面，和所述第二导电结构接触所述第二金属接触的底面。

8.一种形成电容器的方法，其包括：

在半导体晶片中形成第一开口；

在所述第一开口中形成接触所述半导体晶片的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有基本均匀的厚度和形成第二开口；

在所述第一绝缘层上沉积多个第一原子，从而在接触所述第一绝缘层的所述第二开口中形成第一金属结构，

所述第一原子经过第一掩膜板，从所述第一绝缘层的顶面分离所述第一掩膜板，所述第一金属结构具有基本均匀的厚度和形成第三开口；

在所述第三开口中形成接触所述第一绝缘层和所述第一金属结构的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有基本均匀的厚度和形成第四开口；和

在所述第二绝缘层上沉积多个第二原子，以便在所述第四开口中形成接触所述第二绝缘层的第二金属结构，所述第二原子经过第二掩膜板，从所述第二绝缘层的顶面分离所述第二掩膜板，所述第二金属结构具有基本均匀的厚度。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括平面化所述半导体晶片，从而暴露所述第一绝缘层、所述第二金属结构、所述第二绝缘层，并在平面化所述半导体晶片之后暴露所述第一金属结构。

10.根据权利要求9所述的方法进一步包括形成第三绝缘层，从而接触所述第二金属结构、所述第二绝缘层、所述第一金属结构和所述第一绝缘层。

11.根据权利要求10所述的方法进一步包括：

同时地在所述第三绝缘层中形成所述第一开口，以便暴露所述第一金属结构，和在所述第三绝缘层中形成所述第二开口，以便暴露所述第二金属结构；和

在所述第一开口中形成第一金属接触，从而使得电连接到所述第一金属结构上，和在所述第二开口中形成第二金属接触，从而使得电连接到所述第二金属结构上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中从所述第二金属结构分离所述第一金属接触，和从所述第一金属结构分离所述第二金属接触。

13.根据权利要求8所述的方法进一步包括在沉积所述多个第二原子从而形成所述第二金属结构之前，蚀刻所述第二绝缘层的顶面。

14.根据权利要求9所述的方法，其中在平面化半导体晶片之后，所述第一金属结构的第一部分垂直地位于所述第二金属结构的下面，和所述第一金属结构的第二部分垂直地位于非所述第二金属结构的部分的下面。