[发明专利]补偿封装电感的可调谐电容器电路有效
申请号: | 201180051944.6 | 申请日: | 2011-10-27 |
公开(公告)号: | CN103189979A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | B·闵;D-W·吴 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66;H03J1/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 袁逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 补偿 封装 电感 调谐 电容器 电路 | ||
技术领域
本公开一般性涉及用于通信系统的电子设备。具体而言,本公开涉及补偿封装电感的可调谐电容器电路。
背景
电子设备(蜂窝电话、无线调制解调器、计算机、数字音乐播放器、全球定位系统单元、个人数字助理、游戏设备等)已成为日常生活的一部分。小型计算设备如今被放置在从汽车到住房用锁等各种事物中。在过去的几年里电子设备的复杂度有了惊人的上升。例如,许多电子设备具有一个或更多个帮助控制该设备的处理器,以及支持该处理器及该设备的其他部件的数个数字电路。
无线通信系统被广泛部署以提供诸如语音、视频、数据等各种类型的通信内容。这些系统可以是能够支持多个无线通信设备与一个或更多个基站的同时通信的多址系统。
为了无线信号在无线通信网络上的正确接收和传送,无线通信设备可使用一个或更多个射频(RF)通信电路。无线通信设备和/或无线通信系统规范可能要求在无线通信设备内生成的信号的振幅满足某些要求同时还保持高可靠性水平。另外,无线通信设备可使用电池工作。因此,可通过向RF电路提供改善来实现效益。
概述
公开了用于补偿封装电感的集成电路(IC)。第一接地焊盘被直接连接到片上(on-chip)接地节点。第二IC接地焊盘经由可调谐电容器电路连接到该片上接地节点,其中该可调谐电容器电路的电容与该封装电感在该IC的工作频率处谐振。
在一个配置中,印刷电路板(PCB)接地节点可被连接到该第一集成电路(IC)焊盘和该第二IC焊盘,并且该封装电感来自于该第二IC焊盘和该PCB接地节点之间的连接。当可调谐电容器电路与封装电感谐振时,片上接地在该集成电路的工作频率处的阻抗可比没有可调谐电容器电路的情况要低。
该可调谐电容器电路可包括与开关电容器并联的固定电容器。该开关电容器可包括与电容器串联的开关,并且该开关可操作以基于控制电压来在可调谐电容器排中纳入或排除该电容器的电容。
在一种配置中,该开关可以是晶体管。而且,该开关可以是n型金属氧化物半导体(NMOS)场效应晶体管。该可调谐电容器电路可包括彼此并联并且与固定电容器并联的多个开关电容器。这些开关电容器中的电容器的电容可根据二进制比特递增来增大并且这些开关电容器中的晶体管的“接通”电阻根据二进制比特递增来增大。
还公开了一种用于补偿封装电感的装置。该装置包括直接连接到片上接地节点的第一集成电路(IC)接地焊盘。该装置还包括经由可调谐电容器电路连接到该片上接地节点的第二IC接地焊盘,并且该可调谐电容器电路的电容与该封装电感在该IC的工作频率处谐振。
还公开了一种用于补偿封装电感的设备。该设备包括用于连接集成电路(IC)的第一装置,该第一装置被直接连接到片上接地节点。该设备还包括用于连接IC的第二装置,该第二装置经由可调谐电容性装置连接到该片上接地节点,其中该可调谐电容性装置的电容与封装电感在该IC的工作频率处谐振。
还公开了一种用于补偿封装电感的方法。将第一集成电路(IC)焊盘直接连接到片上接地节点。将第二IC焊盘经由可调谐电容器电路连接到该片上接地节点,并且该可调谐电容器电路的电容与封装电感在该IC的工作频率处谐振。
附图简述
图1是解说无线通信系统的框图;
图2是解说补偿封装电感的可调谐电容器电路的框图;
图3是解说补偿封装电感的可调谐电容器电路的电路图;
图4a是解说具有单个片上接地到印刷电路板(PCB)接地连接的电路的电路图,该电路不包括补偿封装电感的可调谐电容器电路;
图4b是解说在片上接地和PCB接地之间具有双重连接的电路的一种配置的电路图;
图5是解说阻抗作为RF电路的片上接地的工作频率的函数的标绘图;
图6是解说可结合PCB接地来补偿寄生电感的电路的电路图;
图7是解说可使用补偿封装电感的可调谐电容器电路的RF放大器的电路图;
图8是解说可使用补偿封装电感的可调谐电容器电路的发射/接收开关的电路图;
图9是解说一种用于使用与封装电感谐振的片上可调谐电容器电路来补偿IC接地连接的封装电感的方法的流程图;
图10解说了基站内可包括的某些组件;以及
图11解说了无线通信设备内可包括的某些组件。
具体描述
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180051944.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:锂离子电池、以及使用该电池的电池模块
- 下一篇:氧化物超导线材及其制造方法