[发明专利]干蚀刻剂以及干蚀刻方法

权利要求书

1.一种干蚀刻剂，其包含1,3,3,3-四氟丙烯、添加气体和非活性气体。

2.根据权利要求1所述的干蚀刻剂，其中，添加气体为氧化性气体或还原性气体。

3.根据权利要求2所述的干蚀刻剂，其中，氧化性气体或还原性气体为选自由H₂、O₂、O₃、CO、CO₂、COCl₂、COF₂、CF₃OF、NO₂、F₂、NF₃、Cl₂、Br₂、I₂、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₂H₆、C₃H₄、C₃H₆、C₃H₈、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH₃以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种气体。

4.根据权利要求1所述的干蚀刻剂，其中，非活性气体为选自由N₂、He、Ar、Ne以及Kr组成的组中的至少1种气体。

5.根据权利要求1所述的干蚀刻剂，其中，1,3,3,3-四氟丙烯的含有率为1～45体积%。

6.根据权利要求1～权利要求5中任一项所述的干蚀刻剂，其还包含选自由CF₄、CF₃H、CF₂H₂、CFH₃、C₂F₆、C₂F₄H₂、C₂F₅H、C₃F₈、C₃F₇H、C₃F₆H₂、C₃F₅H₃、C₃F₄H₄、C₃F₃H₅、C₃F₅H、C₃F₃H、C₃ClF₃H、C₄F₈、C₄F₆、C₅F₈以及C₅F₁₀组成的组中的至少1种气体。

7.一种干蚀刻方法，其使用将权利要求1～权利要求6中任一项所述的干蚀刻剂等离子体化而得到的等离子体气体，选择性地蚀刻选自由二氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅以及碳化硅组成的组中的至少1种硅系材料。

8.一种干蚀刻方法，其使用(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H₂、O₂、CO以及COF₂组成的组中的至少1种以上的气体和Ar，(A)、(B)以及Ar的体积流量比分别为1～45%:1～50%:5~98%(其中，各气体的体积流量比的总计为100%)，选择性地蚀刻选自由二氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅以及碳化硅组成的组中的至少1种硅系材料。