[发明专利]半导体发光元件制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体发光器件的方法，所述半导体发光器件包括：衬底；形成在所述衬底上的具有第一导电类型的第一半导体层；具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层；形成在所述第二半导体层上的由透明导电膜制成的第二电极；和形成在所述第一半导体层的通过蚀刻从所述第二半导体层露出的电极形成部分上的第一电极，其特征在于，所述方法包括：

在所述第二半导体层的整个顶表面上形成所述透明导电膜；

在所述透明导电膜上施加光刻胶；

移除所述光刻胶的存在于所述第一半导体层的所述电极形成部分正上方的部分，使得所述光刻胶的剩余部分在待移除的所述部分的边界处朝向待移除的所述部分逐渐变薄；

使用所述剩余的光刻胶，通过对所述透明导电膜进行湿法蚀刻来露出所述第二半导体层的一部分；

使用所述光刻胶和所述透明导电膜作为掩模，通过干法蚀刻来露出所述第一半导体层的所述电极形成部分；

使用所述剩余的光刻胶作为掩模，对所述透明导电膜的在所述干法蚀刻中露出的部分进行湿法蚀刻；以及

清除所述剩余的光刻胶。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体发光器件的方法，其中通过调整曝光强度分布，由此将显影之后的所述光刻胶调整为朝着待移除的所述部分逐渐变薄，从而来调整所述光刻胶在所述边界处的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体发光器件的方法，其中所述第一半导体层由n型第III族氮化物半导体制成，所述第二半导体层由p型第III族氮化物半导体制成。