[发明专利]用于制造碳化硅半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法，包括下述步骤：

制备碳化硅衬底（90）；

在所述碳化硅衬底（90）上形成氧化硅膜（31）；

通过借助于采用第一气体的第一蚀刻移除所述氧化硅膜（31）的一部分，来形成所述氧化硅膜（31）的第一掩膜图案，所述第一气体包含CHF₃；

借助于将第一离子离子注入到包括具有所述第一掩膜图案的所述氧化硅膜（31）的所述碳化硅衬底（90）中，来形成具有第一导电类型的第一杂质区域（124）；

通过借助于采用第二气体的第二蚀刻移除所述氧化硅膜（31）的一部分，来形成所述氧化硅膜（31）的第二掩膜图案，所述第二气体包含氧气和从由CF₄、C₂F₆、C₃F₈和SF₆组成的组中选择的至少一种氟化合物气体；以及

借助于将第二离子离子注入到包括具有所述第二掩膜图案的所述氧化硅膜（31）的所述碳化硅衬底（90）中，来形成具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二杂质区域（123）。

2.根据权利要求1所述的用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法，其中所述第二气体中的所述氧气的比率为30体积%或更大。

3.根据权利要求1所述的用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法，其中所述第二蚀刻中的蚀刻选择性不小于0.5并且不大于2。

4.根据权利要求1所述的用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法，其中形成所述氧化硅膜（31）的步骤包括下述步骤：在所述碳化硅衬底（90）上形成蚀刻停止层（50）；以及在所述蚀刻停止层（50）上形成所述氧化硅膜（31）。

5.根据权利要求4所述的用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法，其中所述蚀刻停止层（50）包含从由镍、铝和钛组成的组中选择的至少一种金属。

6.根据权利要求5所述的用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法，其中所述蚀刻停止层（50）由堆叠体构成，在所述堆叠体中，从所述碳化硅衬底（90）侧开始，依次堆叠由钛制成的第一层（51）、由镍或铝制成的第二层（52）以及由钛制成的第三层（53）。