[实用新型]一种芯片级封装结构有效
| 申请号： | 201120535089.3 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN202473889U | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片级 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片级封装结构，包括芯片、凸点下金属层和焊料凸点，所述芯片上设有焊盘和钝化层，所述钝化层围绕在所述焊盘的周围，所述凸点下金属层位于所述焊盘上，所述焊料凸点位于所述凸点下金属层上，其特征在于：所述凸点下金属层包括由下而上依次位于芯片焊盘上方的耐热金属层、金属侵润层、阻挡层和焊料保护层。
2.根据权利要求1所述的一种芯片级封装结构，其特征在于，所述耐热金属层的材料是钛。
3.根据权利要求1所述的一种芯片级封装结构，其特征在于，所述耐热金属层的材料是钛、铬或钽。
4.根据权利要求1所述的一种芯片级封装结构，其特征在于，所述金属侵润层的材料是铜。
5.根据权利要求1所述的一种芯片级封装结构，其特征在于，所述金属侵润层的材料是铜、铝或镍。
6.根据权利要求1所述的一种芯片级封装结构，其特征在于，所述阻挡层的材料是镍。
7.根据权利要求6所述的一种芯片级封装结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度是1.5-3um。
8.根据权利要求6所述的一种芯片级封装结构，其特征在于，所述焊料保护层是纯锡或锡合金。
9.根据权利要求8所述的一种芯片级封装结构，其特征在于，所述焊料保护层的厚度是1-2um。
10.根据权利要求1或8所述的一种芯片级封装结构，其特征在于，所述焊料膏的材质与焊料保护层的材质一致。
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