[实用新型]半导体晶片气蚀装置

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体晶片的加工设备领域，具体涉及一种用于蚀刻去除半导体晶片表面氧化膜的装置。

背景技术

近年来电子产业发展突飞猛进，各种多功能的可携式电子产品如智能型手机、笔记本电脑、平板计算机等都已融入一般民众生活中，使得人们生活越来越便利。在电子产业发展的背后，位于其上游的半导体产业的成熟发展具有极大的贡献。除了民生、军事电子产业之外，能源方面如太阳能产业以及照明方面如LED产业，皆与半导体产业有相当大程度的关联性。此外，半导体的技术也可应用在生技等其它领域，其牵涉范围之广，称之为近代科技的基石也不为过。

半导体制程制作出的晶片可广泛地利用于上述各种应用领域中，晶片的良率可说是直接决定了终端产品的质量，因此，在晶片的材料以及制作方式上各界均以投入大量研究以确保其质量。不论其为何种应用领域的晶片，均须经过多道加工制程后，才能获得实际应用的电子组件或光电组件。晶片加工制程之一就是蚀刻去除晶片表面的氧化膜，传统去除氧化膜采用较多的方法是用含有氢氟酸的溶液浸泡晶体以去除表面氧化膜，当产品加工要求晶片的仅一个表面或是一个表面及另一表面边缘去除氧化膜时，用上述湿式蚀刻法加工起来相当繁琐。因此有必要开发一种便于蚀刻去除晶片表面氧化膜并保证蚀刻质量的方法或设备。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种半导体晶片气蚀装置，该半导体晶片气蚀装置可以蚀刻去除晶片表面的氧化膜，且能够完成普通蚀刻和宽边蚀刻两种蚀刻要求。

本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种半导体晶片气蚀装置，设有基座和气蚀罩，所述气蚀罩位于所述基座上方，所述气蚀罩能够罩于所述基座上构成密闭空间，所述基座上设有晶片定位座，所述气蚀罩上开设有进气孔，所述进气孔与所述密闭空间相通，所述基座上开设有若干出气孔，所述出气孔与所述密闭空间相通。所述密闭空间内需要通入HF气体与晶片的表面接触以去除晶片表面的氧化膜，因此所述进气孔需连接送气装置，用以给所述密闭空间吹入HF气体，同时，为了保持所述密闭空间内压力恒定以及吹气顺利，所述出气孔需要连接抽气装置，HF进气和底部抽气的流量均可进行微调，以确保进入气蚀罩内的HF气体不会发生泄漏，但是又可以有足够的量和晶片表面反应以除去晶片表面的氧化膜。气蚀时，与晶片定位座接触的晶片表面由于不接触HF气体，因此不参与反应，不被蚀刻去除氧化膜，而不与晶片定位座接触的晶片表面皆与HF气体接触，因此皆被蚀刻去除氧化膜，基于上述原理，该半导体晶片气蚀装置可以完成两种蚀刻要求，分别是普通蚀刻和宽边蚀刻。普通蚀刻是指晶片直径小于晶片定位座直径，即晶片的下表面全部与晶片定位座接触，该下表面不被蚀刻，晶片的上表面被蚀刻去除氧化膜。宽边蚀刻是指晶片直径大于所述晶片定位座的直径，晶片的上表面全被蚀刻以去除氧化膜以及晶片下表面超出晶片定位座的部分被蚀刻去除氧化膜。

实用新型所采用的进一步技术方案是：

较佳地，所述晶片定位座中心开设有真空吸气口，所述真空吸气口连接吸真空装置。吸真空装置通过真空吸气口将晶片定位座上的晶片吸住，真空度需要保证晶片在蚀刻的时候不会发生移动，也不会将晶片吸破或吸变形。

较佳地，设有导流块，所述导流块由位于上部的连接段和位于下部的喷气段一体构成，所述导流块的连接段连接于所述气蚀罩的进气孔下端，且所述导流块的连接段的上端开设有气体进孔，所述导流块的气体进孔与所述气蚀罩的进气孔相通，所述导流块的喷气段位于所述密闭空间内并位于所述晶片定位座上方，且所述喷气段的底面和侧面两者至少之一上开设有若干喷气孔，所有喷气孔皆与所述气体进孔相通。为了确保HF气体能和晶片表面的氧化膜发生化学反应，进而除去晶片表面的氧化膜，进入气蚀罩内的HF气体须均匀的和晶片表面接触，因此使用导流块将集中于气蚀罩中心的HF气体均匀分流，可以采用多种不同出气方式的导流块，导流块与气蚀罩进气孔下端之间的连接采用可拆卸的结构，以方便根据不同加工需求更换不同出气方式的导流块。

还设有用于升降气蚀罩的升降装置，所述气蚀罩与所述升降装置连接。该升降装置能够将气蚀罩下压至基座上形成密闭空间以用于蚀刻，并能够将气蚀罩上提至与基座脱离以取出晶片，该升降装置具体可以是气缸，在气蚀罩上端固定气缸连接手臂以供与气缸连接，汽缸连接手臂的升降速度以及下压气蚀罩的压力均可调整，以保证有足够的压力防止HF气体泄漏。