[实用新型]一种静电放电防护装置及由其组成的系统有效
申请号: | 201120332124.1 | 申请日: | 2011-09-06 |
公开(公告)号: | CN202549831U | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 曾传滨;姜一波;罗家俊;韩郑生 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;卢江 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 放电 防护 装置 组成 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及静电放电防护装置及由其组成的系统,特别是一种利用二极管正偏特性与电容器吸收静电脉冲能力组成的静电放电防护装置及由其组成的系统。
背景技术
静电放电(Electro Static Discharge,ESD)防护能力是集成电路等电子产品的重要可靠性指标之一。随着电子产品频率的提高,要求电子产品输入/输出端口上的寄生电容越来越小,为了确保产品功能正常,常用的方法是牺牲电子产品静电放电防护性能以满足功能要求,此种做法一方面对电子产品的使用环境要求更加苛刻,另一方面由于产品静电放电防护能力的降低,可靠性大幅度下降,产品返修率大幅度上升,如此种种,严重制约了产品的推广;也有采用TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR,瞬变抑制)二极管作为产品静电放电防护装置的,由于TVS二极管实用二极管的反偏特性用在保护电路上,寄生电容难于控制,难于解决>1GHZ射频微波电路的静电放电防护问题;也有采用电容器加二极管结构作为静电放电保护电路的,由于其使用的电容为0.1—0.2μF,在8000V静电脉冲下会有6V—12V的电压降,此外,该方法未使用放电电阻器,电容器吸收静电脉冲后的电荷无法及时释放掉,在连续承受多个静电脉冲后会由于电容器积累电压过高导致被保护电路出现静电损伤问题。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型一方面包括一种静电放电防护装置,其包括一个高压电源线、一个低压电源线、第一二极管、第二二极管、静电存储单元、放电电阻器、功能电路,其中,静电存储单元、放电电阻器并联地电连接于所述高压电源线和低压电源线之间;第一二极管负极电连接于所述高压电源线,第一二极管正极电连接于所述功能电路的输入/输出端口;第二二极管负极电连接于所述功能电路的输入/输出端口,第二二极管正极电连接于所述低压电源线;所述功能电路电连接于所述高压电源线、低压电源线之间,由高压电源线和低压电源线供电,并且通过输入/输出端口与外部信号线相连。
优选地,所述第一二极管由1个第一二极管组成。
优选地,所述第一二极管由至少2个第一二极管组成,所述至少2个第一二极管彼此串联或并联连接。
优选地,所述第二二极管由1个第二二极管组成。
优选地,所述第二二极管由至少2个第二二极管组成,所述至少2个第二二极管彼此串联或并联连接。
优选地,所述二极管为PN结二极管和/或肖特基二极管。
优选地,所述二极管与功能电路集成在同一芯片上,或者所述二极管与功能电路封装在同一管壳内,或者所述二极管与功能电路制作在同一电路板上。
优选地,所述静电存储单元由1个电容器组成,所述电容器的电容值大于或等于0.22μF。
优选地,所述静电存储单元由至少2个电容器组成,所述至少2个电容器彼此相互串联或并联,串联或并联后电容值大于或等于0.22μF。
优选地,所述电容器与功能电路集成在同一芯片上,或者所述电容器与功能电路封装在同一管壳内,或者所述电容器与功能电路制作在同一电路板上。
优选地,所述静电放电防护装置还设有其它箝位电路。
优选地,所述放电电阻器与功能电路集成在同一芯片上,或者所述放电电阻器与功能电路封装在同一管壳内,或者所述放电电阻器与功能电路制作在同一电路板上。
本发明另一方面包括一种静电放电防护系统,其包括如第一方面所述的多个静电放电防护装置,其中每个静电放电防护装置中的高压电源线与其他静电放电防护装置中的高压电源线之间、每个静电放电防护装置中的低压电源线与其他静电放电防护装置中的低压电源线之间和/或每个静电放电防护装置中的高压电源线与其他静电放电防护装置中的低压电源线之间电连接有静电放电(ESD)防护单元,用于在所述装置正常工作时将与所述静电放电防护单元电连接的电源线进行电性分离,在静电放电发生时将与所述静电放电防护单元电连接的电源线进行电性短接。
优选地,所述静电放电防护单元由1个电容器组成。
优选地,所述静电放电防护单元由至少2个电容器组成,所述至少2个电容器彼此相互串联或并联。
优选地,所述静电放电防护单元由1个二极管组成。
优选地,所述静电放电防护单元由至少2个二极管组成,所述二极管相互串联;或者所述二极管为1个二极管与1个或2个以上串联二极管极性相反地并联;或者所述二极管为2个以上串联二极管与1个或2个以上串联二极管极性相反地并联。
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