[实用新型]InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构有效
| 申请号： | 201120317811.6 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN202221763U | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 邢东;冯志红;房玉龙;刘波;张雄文;敦少博;蔡树军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | inaln gan 异质结 有源 结构 | ||
1.一种InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构，包括半导体层（1）、InxAlN/GaN异质结（4）和半绝缘衬底（5），其特征在于还包括缓冲层（2）、刻蚀终止层（3）；所述InxAlN /GaN异质结（4）中x的取值为0～1；所述半绝缘衬底（5）、InxAlN/GaN异质结（4）、刻蚀终止层（3）、缓冲层（2）和半导体层（1）的厚度大于0?，由下至上依次排列。
2.根据权利要求1所述的InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构，其特征在于所述半绝缘衬底（5）、InxAlN/GaN异质结（4）、刻蚀终止层（3）、缓冲层（2）和半导体层（1）的掺杂情况为ID或UID。
3.根据权利要求1所述的InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构，其特征在于所述半导体层（1）为单层或多层结构。
4.根据权利要求1所述的InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构，其特征在于所述InxAlN /GaN异质结（4）中0＜x＜1。
5.根据权利要求1所述的InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构，其特征在于所述刻蚀终止层（3）的材料为InxGaN或InAlGaN或AlxGaN， 0≤X＜1。
6.根据权利要求1所述的InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构，其特征在于所述缓冲层（2）的材料为InxAlN，0＜x＜1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120317811.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据处理方法及其设备
- 下一篇：吸湿排汗弹性纤维的生产方法
- 同类专利
- 专利分类
