[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

多个浮动区域，在半导体基板的面上并排设置，各个所述浮动区域之间设置绝缘区域，所述多个浮动区域包含位于离所述半导体基板的规定电位的岛状区域相对较近侧的第1浮动区域和与所述第1浮动区域相比位于离所述规定电位的所述岛状区域相对较远侧的第2浮动区域；

绝缘层，介于所述多个浮动区域的各个区域与所述半导体基板的半导体材料层之间；以及

电容形成部，相对于所述第1浮动区域与所述规定电位的所述岛状区域夹着的所述绝缘区域的电容，或者/以及相对于包含所述多个浮动区域中的至少所述第1浮动区域的一个以上的浮动区域的相邻的浮动区域间夹着的所述绝缘区域的电容的各个电容，并联形成外部电容。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电容形成部包含一端连接于所述相邻的浮动区域中的一浮动区域并且另一端连接于另一浮动区域的电容元件。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述电容形成部包含在所述多个浮动区域中的相邻的浮动区域间至少各设置一个的多个所述电容元件，

进行配置以使得具有相对较大的电容的电容元件位于所述第1浮动区域侧，具有相对较小的电容的电容元件位于所述第2浮动区域侧，

所述多个所述电容元件相应于所述多个浮动区域的列串联连接。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，

所述多个所述电容元件选定为从所述第1浮动区域侧越往所述第2浮动区域侧电容的大小越小。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，

所述多个所述电容元件选定为随着从所述第1浮动区域侧到所述第2浮动区域侧，电容的大小按照二次函数减小。

6.一种半导体装置，其特征在于，具备：

多个浮动区域，在半导体基板的面上并排设置，各个所述浮动区域之间设置绝缘区域，所述多个浮动区域包含位于离所述半导体基板的规定电位的岛状区域相对较近侧的第1浮动区域和与所述第1浮动区域相比位于离所述规定电位的所述岛状区域相对较远侧的第2浮动区域；

绝缘层，介于所述多个浮动区域的各个区域与所述半导体基板的半导体材料层之间；以及

电容形成部，在所述半导体基板的上方或者/以及所述半导体基板的面内的所述多个浮动区域的列的侧方，以包含所述多个浮动区域中的至少所述第1浮动区域的一个以上的浮动区域为对象，形成分别与该一个以上的浮动区域分别耦合的电容。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述电容形成部包含设置于所述半导体基板上并且在所述一个以上的浮动区域的上方延伸以与所述一个以上的浮动区域作为电容进行耦合的电极。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述电极具有从所述第1浮动区域越往所述第2浮动区域侧，与位于下方的浮动区域之间的耦合电容变得越小的形状。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述电极具有从所述第1浮动区域越往所述第2浮动区域侧宽度变得越窄的形状。

10.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述电容形成部包含半导体区域，其中，该半导体区域在所述半导体基板的面内，沿着所述多个浮动区域的列，夹着绝缘区域，邻近所述多个浮动区域中的2个以上的浮动区域地延伸。

11.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，

所述电容形成部包含分别设置于所述一个以上的浮动区域并且从各浮动区域向所述半导体区域的上方延伸的一个以上的电极。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，

具备多个向所述半导体区域的上方延伸的所述一个以上的所述电极，

具备多个的各该电极之中，越是在所述第1浮动区域侧的该电极越向所述半导体区域的上方相对较长地延伸，越是在所述第2浮动区域侧的该电极越向所述半导体区域的上方相对较短地延伸。

13.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述电容形成部包含在所述规定电位的所述岛状区域与所述一个以上的浮动区域的各个区域之间插入的一个以上的电容元件。