[发明专利]电路基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种印制电路用的电路基板及其制作方法。

背景技术

近年来，随着电子产品向多功能、小型化的方向发展，使用的电路板朝着多层化、布线高密度化以及信号传输高速化的方向发展，对电路基板——覆金属箔层压板，如覆铜板的综合性能提出了更高的要求。

例如，随着信息通讯设备高性能化、高功能化以及网络化的发展，为了高速传输及处理大容量信息，操作信号趋向于高频化，电子产品的使用频率持续走高，要求电路基板介电损耗越来越小，而且要求电路基板介电常数的稳定性、均匀性要好。

目前覆铜板一般使用玻璃纤维布作为增强材料。因使用编织材料做增强材料(如玻璃纤维布)，编织纤维布因编织的原因以及编织纤维交叉部分的十字节点存在，使得电路基板中绝缘介质(如玻璃成分)并不是均匀的分布，使得电路板中的介电常数在X、Y、Z方向的不是各向同性(其中，X、Y、Z方向分别为电路板的长度、宽度、厚度方向)，存在X、Y、Z方向的介电常数差异。这样高频信号在高频电路基板中传输时，电磁波不仅在X、Y方向传输，而且也在Z方向传输，因在X、Y、Z方向的介电常数的不同产生信号的衰减，影响信号传输的稳定性。为了使信号均匀稳定的传输，必须尽量减少电路基板介质中X、Y、Z方向的介质分布的差别。

另外，随着电子产品电路互联密度的提高，要求电路基板的尺寸稳定性越来越高，为了减少电路基板在制作的热冲击过程中产生的热应力，满足元器件在安装及组装过程的孔对位精确，要求基板在X、Y、Z方向的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion，CTE)越小越好。特别是用于IC封装的电路基板，对于X、Y方向的CTE要越接近于硅芯片的CTE(3ppm/℃)越好，因为如果电路基板的CTE和封装在电路基板上的芯片的CTE相差太大，会使得芯片在环境冷热冲击过程中产生很大的应力应变而损坏。

目前所用覆铜板(FR-4)一般都以玻璃纤维布作为增强材料，因受到板材中玻璃纤维布与树脂比例的影响，其X、Y方向的CTE为16～18ppm/℃。

为了降低X、Y方向的CTE，美国专利申请US20040037950A1使用薄型的玻璃膜来替代玻璃纤维布进行覆铜板的制作。该专利申请揭示了一种多层板材的结构由玻璃膜、树脂层以及铜箔层构成，但是该专利申请并没有揭示如何在玻璃膜表面和树脂层之间获得良好的结合力。因玻璃膜的表面是光滑的，这样树脂层无法和玻璃膜形成良好的结合力，使得附着在树脂层上的电路铜导线随着树脂层一起容易从玻璃膜上剥落下来，进而会造成这种方式制作的覆铜板在制作及使用过程的可靠度不高，会产生电子产品的报废。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种电路基板，采用经过表面粗糙化处理形成粗糙层的玻璃膜为载体材料，使得树脂粘接层与玻璃膜表面具有良好的结合力。

本发明的另一目的在于提供使用上述经过表面粗糙化处理形成粗糙层的玻璃膜制作的电路基板，具有介电常数在X、Y、Z方向差别小的特点。

本发明的再一目的在于提供一种电路基板的制作方法，采用经过表面粗糙化处理形成粗糙层的玻璃膜为载体材料，具有良好的成型性，工艺操作简便。

为实现上述目的，本发明提供一种电路基板，包括经过表面粗糙化处理形成粗糙层的玻璃膜、分别位于所述玻璃膜两侧粗糙层上的树脂粘接层、以及位于树脂粘接层外侧的金属箔，所述玻璃膜、树脂粘接层及金属箔通过压制结合在一起。

所述玻璃膜的玻璃成分优选碱金属氧化物含量小于0.3％(重量)的铝硅酸盐玻璃或碱金属氧化物含量小于0.3％(重量)的硼硅酸盐玻璃。

所述玻璃膜的厚度可以选择在20μm到1.1mm之间。为了获得良好的玻璃膜和树脂粘接层的结合力，发明人通过研究发现，在玻璃膜上形成大于一定厚度的凹凸不平的粗糙层，可以提高玻璃膜和树脂粘接层的结合力。具体的是，所述粗糙层的厚度大于或等于0.3μm，可以获得满意的粘合力。本文中，粗糙层的厚度是指该粗糙层的微观不平度十点高度(Rz)。

所述玻璃膜的表面可以通过拉毛、蒙砂、化学蚀刻、溶胶-凝胶法和机械打磨中的一种或多种方法进行粗糙化，增大接触面积，使玻璃膜与树脂粘接层达到更好的结合。

发明人通过研究发现，使用蒙砂法、溶胶-凝胶法很容易在玻璃膜的表面形成一层厚度大于或等于0.3μm的粗糙层，制作的电路基板产生了良好的粘合力。