[发明专利]电路基板及其制作方法

权利要求书

1.一种电路基板，其特征在于，包括经过表面粗糙化处理形成粗糙层的玻璃膜、分别位于所述玻璃膜两侧粗糙层上的树脂粘接层、以及位于树脂粘接层外侧的金属箔，所述玻璃膜、树脂粘接层及金属箔通过压制结合在一起。

2.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述玻璃膜的玻璃成分为碱金属氧化物含量小于0.3％(重量)的铝硅酸盐玻璃或碱金属氧化物含量小于0.3％(重量)的硼硅酸盐玻璃。

3.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述玻璃膜的厚度选择在20μm到1.1mm之间。

4.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述粗糙层的厚度大于或等于0.3μm。

5.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述粗糙层的厚度选择在5μm到20μm之间，所述玻璃膜两侧粗糙层的总厚度不大于玻璃膜总厚度的1/2。

6.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述树脂粘接层中的树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、酚醛树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、聚丁二烯与苯乙烯共聚物树脂、聚四氟乙烯树脂、聚苯并恶嗪树脂、聚酰亚胺、含硅树脂、双马来酰亚胺树脂、LCP树脂和双马来酰亚胺三嗪树脂中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述树脂粘接层中包括有粉末填料，所述粉末填料的含量按体积百分比计小于树脂粘接层中树脂和粉末填料总量的70％，所述粉末填料选自结晶型二氧化硅、熔融型的二氧化硅、球型二氧化硅、钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶钡、氮化硼、氮化铝、碳化硅、氧化铝、二氧化钛、玻璃粉、玻璃短切纤维、滑石粉、云母粉、碳黑、碳纳米管、金属粉、聚苯硫醚粉和PTFE粉中的一种或多种，所述粉末填料的粒径中度值为0.01～35μm。

8.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述金属箔的材料为铜、铝、镍、或这些金属的合金。

9.一种制作如权利要求1所述的电路基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：提供玻璃膜，对玻璃膜进行表面粗糙化处理形成粗糙层；

步骤2：在已形成粗糙层的玻璃膜的两面分别叠合一张或数张预浸料；

步骤3：在预浸料未与玻璃膜接触的一面分别叠合一张金属箔；

步骤4：将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电路基板，固化温度为100℃～400℃，固化压力为10Kg/cm²～65Kg/cm²。

10.一种制作如权利要求1所述的电路基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：提供玻璃膜，对玻璃膜进行表面粗糙化处理形成粗糙层；

步骤2：在已形成粗糙层的玻璃膜的两面分别叠合一张涂树脂金属箔；

步骤3：将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电路基板，固化温度为100℃～400℃，固化压力为10Kg/cm²～65Kg/cm²。

11.如权利要求9或10所述的电路基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述玻璃膜的表面通过拉毛、蒙砂、化学蚀刻、溶胶-凝胶法和机械打磨中的一种或多种方法进行粗糙化，所形成的粗糙层的厚度大于或等于0.3μm。

12.如权利要求9或10所述的电路基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，还包括在玻璃膜的粗糙层上用偶联剂进行处理，所述偶联剂选自硅烷类或钛酸酯类偶联剂。

13.如权利要求9或10所述的电路基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，在对玻璃膜进行表面粗糙化处理前，还包括对所述玻璃膜在400℃～600℃的温度下进行高温退火处理。