[发明专利]三维封装方法以及封装体无效
| 申请号： | 201110449518.X | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102623362A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 魏星;曹共柏;林成鲁;张峰;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/522;H01L23/482;H01L25/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 封装 方法 以及 | ||
1.一种三维封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供半导体衬底和支撑衬底，所述半导体衬底依次包括支撑层、支撑层表面的重掺杂层以及重掺杂层表面的器件层，所述器件层中包含至少一半导体器件；
在半导体衬底和/或支撑衬底的表面形成绝缘层；
以所述绝缘层为中间层，将所述半导体衬底和支撑衬底贴合在一起；
采用自停止腐蚀工艺去除所述半导体衬底中的支撑层和重掺杂层；
在器件层中形成多个贯孔，所述贯孔的位置与半导体器件的焊盘的位置对应，并暴露出半导体器件的焊盘； 采用导电填充物填平所述贯孔。
2.根据权利要求1所述的三维封装方法，其特征在于，所述半导体衬底采用如下步骤形成：
提供半导体衬底；
将掺杂元素注入至半导体衬底中，形成重掺杂层，并同时在半导体衬底的表面分离出器件层；
在器件层中制作至少一半导体器件。
3.根据权利要求1或2所述的三维封装方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为单晶硅，所述重掺杂层中的掺杂元素为硼。
4.根据权利要求1所述的三维封装方法，其特征在于，所述绝缘层的材料选自于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的三维封装方法，其特征在于，所述导电填充物为金属。
6.根据权利要求1所述的三维封装方法，其特征在于，所述支撑衬底的材料选自于单晶硅、蓝宝石、碳化硅以及玻璃中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的三维封装方法，其特征在于，所述支撑衬底中预先制备有完整的集成电路结构或者单管。
8.一种采用权利要求1所述方法形成的封装体，其特征在于，依次包括支撑衬底、支撑衬底表面的绝缘层、以及绝缘层表面的器件层，所述器件层中包含至少一半导体器件，所述器件层中具有多个贯孔，所述贯孔的位置与半导体器件的焊盘的位置对应，并暴露出半导体器件的焊盘，所述贯孔中填充有导电填充物。
9.根据权利要求8所述的封装体，其特征在于，所述绝缘层的材料选自于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的任意一种。
10.根据权利要求8所述的封装体，其特征在于，所述导电填充物为金属。
11.根据权利要求8所述的封装体，其特征在于，所述半导体衬底的材料为单晶硅，所述支撑衬底的材料选自于单晶硅、蓝宝石、碳化硅以及玻璃中的任意一种。
12.根据权利要求8所述的封装体，其特征在于，所述支撑衬底中预先制备有完整的集成电路结构或者单管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
