[发明专利]一种发光二极管的保护器件芯片及生产工艺

权利要求书

1.一种发光二极管的保护器件芯片生产工艺，其特征在于，包括如下次序的步骤：

1）氧化前处理：通过酸、碱、去离子水等工序，对硅片表面进行化学处理；

2）氧化：清洗干净的原始硅片，在1100～1200℃的氧化炉中长一层氧化层做掩膜，为下一步光刻的校对精确先做一个标记、开N+区窗口、开沟槽、开电泳玻璃沿区、金属接触区；

3）五次光刻：对氧化后的硅片进行涂胶、光刻标记、光刻发射区窗口、光刻台面、光刻玻璃沿区域、光刻金属接触区、曝光、显影、去氧化层工序，刻出标记、发射区窗口、台面图形、电泳玻璃沿区域和金属接触区图形；

4）扩散前处理：通过电子清洗剂、去离子水超声溢水对光刻窗口后的硅片进行化学处理；

5）硼扩散预沉积：采用氮气携带液态硼源，将清洗干净的硅片放入1100～1150℃的扩散炉中进行硼源预沉积；

6）硼扩散：对预沉积后的硅片在1200～1250℃扩散炉进行扩散推进，形成P层；

7）磷源扩散预沉积：对处理干净的硅片在1100～1200℃的扩散炉中进行磷源沉积，通入液态磷源；

8）磷源主扩散：对预沉积后的硅片在1200～1250℃扩散炉进行扩散推进，形成N层；

9）扩散后处理：用酸浸泡、去离子水超声清洗，使硅片分离，并去除表面氧化层；

10）双面台面腐蚀：使用氢氟酸、硝酸、冰乙酸，按照8:3:3的比例混合为混酸，用混酸刻蚀双面台面沟槽，混酸温度控制在8～12℃，并用去离子水冲净；

11）双面电泳：把硅片放在配置好的电泳液中，根据台面沟槽需沉积的玻璃重量设置时间，进行双面同时电泳；

12）烧结：把电泳后的硅片在800～820℃的烧结炉中进行烧结；

13）去氧化层：用稀释的氢氟酸浸泡、去离子水超声清洗去除烧结后硅片表面氧化层；

14）镀镍、镀金：将去氧化层后的硅片在专用镀槽中进行镀镍、镀金、干燥；

15）芯片切割：用划片机把镀金后的硅片从台面沟槽处划成单个芯片；

根据所述方法获得其结构为N-P-N-P-N型保护器件芯片。

2.一种发光二极管的保护器件芯片，其特征在于：其结构为N-P-N-P-N型，正面截层结构依次为芯片（1），腐蚀沟槽（2），钝化玻璃（3） ，金属层（4）；高浓度N区（5）；其剖面截层结构依次为腐蚀沟槽（2），钝化玻璃（3），金属层（4），高浓度N区（5），P区（6），基区N（7）。