[发明专利]高可靠芯片级封装结构无效
申请号: | 201110428491.6 | 申请日: | 2011-12-19 |
公开(公告)号: | CN102496604A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 陶玉娟;石磊;高国华 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人: | 雷志刚;潘士霖 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可靠 芯片级 封装 结构 | ||
1.一种高可靠芯片级封装结构,其特征在于,包括:芯片、凸点下金属层、保护胶和焊料凸点;所述芯片的上表面设有焊盘和钝化层,所述钝化层覆于芯片焊盘开口以外的上表面;所述焊盘上设有凸点下金属层,所述凸点下金属层由底部往上依次包括耐热金属层、金属浸润层、阻挡层和焊料保护层;所述保护胶覆于焊盘所在的芯片表面并围筑于凸点下金属层周围;所述凸点下金属层的上表面陷于保护胶中,表面上设有焊料凸点;所述焊料凸点的一部分陷于保护胶中。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠芯片级封装结构,其特征在于,所述耐热金属层的材料是钛、铬、钽或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的一种高可靠芯片级封装结构,其特征在于,所述金属浸润层的材料是铜、铝、镍或它们的组合。
4.根据权利要求1所述的一种高可靠芯片级封装结构,其特征在于,所述阻挡层的材料是镍。
5.根据权利要求4所述的一种高可靠芯片级封装结构,其特征在于,所述镍阻挡层的厚度是1.5~3μm。
6.根据权利要求1所述的一种高可靠芯片级封装结构,其特征在于,所述焊料保护层是纯锡或锡合金。
7.根据权利要求6所述的一种高可靠芯片级封装结构,其特征在于,所述焊料保护层的厚度是1~2μm。
8.根据权利要求1或6所述的一种高可靠芯片级封装结构,其特征在于,所述焊料膏的材质与焊料保护层的材质一致。
9.根据权利要求1所述的一种高可靠芯片级封装结构,其特征在于,所述保护胶的材质为一种光敏性的环氧树脂。
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